[发明专利]使用磁性退火的参考单元的MRAM感测

权利要求书

1.一种具有参考电路的磁阻式随机存取存储器MRAM，所述参考电路包括：

至少一个磁性存储单元，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态；以及

负载元件，其耦合到所述磁性存储单元，其中所述负载元件经配置以在读取操作期间建立参考电压。

2.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述参考电路用于读取感测操作。

3.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述相同状态是反平行状态。

4.根据权利要求3所述的MRAM，其中每一磁性存储单元的所述相同状态是通过磁性退火工艺而被起始。

5.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述相同状态是平行状态。

6.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述磁性存储单元是磁性隧道结MTJ单元。

7.根据权利要求1所述的MRAM，其中所述负载元件是晶体管。

8.根据权利要求7所述的MRAM，其中所述晶体管是可编程晶体管。

9.根据权利要求8所述的MRAM，其中所述可编程晶体管包括晶体管的并联耦合的两个或两个以上支脚，使得个别支脚可被选择性地启用，且使得所述可编程晶体管的驱动强度与所启用的支脚的数目成比例。

10.根据权利要求1所述的MRAM，其被集成在至少一个半导体裸片中。

11.根据权利要求1所述的MRAM，其被集成到选自由以下各者组成的群组的装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。

12.一种形成用于磁阻式随机存取存储器MRAM的参考电路的方法，所述方法包括：

形成至少一个磁性存储单元，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态；以及

将负载元件耦合到所述磁性存储单元，其中所述负载元件经配置以在读取操作期间建立参考电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括将所述参考电路用于读取感测操作。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述相同状态是反平行状态。

15.根据权利要求14所述的方法，其包括通过磁性退火工艺来起始每一磁性存储单元的所述相同状态的形成。

16.根据权利要求12所述的方法，其包括由可编程晶体管形成所述负载元件，使得可编程晶体管包括晶体管的并联耦合的两个或两个以上支脚，其中个别支脚可被选择性地启用，且所述可编程晶体管的驱动强度与所启用的支脚的数目成比例。

17.一种形成用于磁阻式随机存取存储器MRAM的参考电路的方法，所述方法包括：

用于形成至少一个磁性存储单元的步骤，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态；以及

用于将负载元件耦合到所述磁性存储单元的步骤，其中所述负载元件经配置以在读取操作期间建立参考电压。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括用于将所述参考电路用于读取感测操作的步骤。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述相同状态是反平行状态。

20.根据权利要求19所述的方法，其包括用于通过磁性退火工艺来起始每一磁性存储单元的所述相同状态的形成的步骤。

21.根据权利要求17所述的方法，其包括用于由可编程晶体管形成所述负载元件的步骤，使得可编程晶体管包括晶体管的并联耦合的两个或两个以上支脚，其中个别支脚可被选择性地启用，且所述可编程晶体管的驱动强度与所启用的支脚的数目成比例。

22.一种具有参考电路的磁阻式随机存取存储器MRAM，所述参考电路包括：

用于形成至少一个磁性存储单元的装置，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态；以及

用于将负载元件耦合到所述磁性存储单元的装置，其中所述负载元件经配置以在读取操作期间建立参考电压。

23.根据权利要求22所述的MRAM，其进一步包括用于将所述参考电路用于读取感测操作的装置。