[发明专利]氮化物半导体结构以及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，具备：

石墨型氮化硼薄膜、

上述石墨型氮化硼薄膜上的纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜、以及

上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜上的纤锌矿型AlGaInBN薄膜，

其中，x＞0。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

还具备蓝宝石基板，

上述石墨型氮化硼薄膜以及上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜构成上述蓝宝石基板上的缓冲层，

其中，x＞0。

3.根据权利要求1或2中所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜是(0001)六方晶氮化硼薄膜或乱层氮化硼薄膜。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜具有一个原子层以上的膜厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

上述纤锌矿型AlGaInBN薄膜上的多重量子阱、以及

上述多重量子阱上的第二纤锌矿型AlGaInBN薄膜。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

还具备蓝宝石基板以外的基板上的接合层，

上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜以及上述石墨型氮化硼薄膜构成缓冲层，其中，x＞0。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述接合层是导电性的。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

蓝宝石基板；

上述蓝宝石基板上的纤锌矿AlN、纤锌矿GaN薄膜或纤锌矿AlGaN薄膜；以及

上述纤锌矿AlN、纤锌矿GaN薄膜或纤锌矿AlGaN薄膜上的纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜，

上述纤锌矿AlN、上述纤锌矿GaN薄膜或上述纤锌矿AlGaN薄膜构成上述蓝宝石基板上的缓冲层，

上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜、上述石墨型氮化硼薄膜和上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜构成上述缓冲层上的双异质结构，其中，x＞0。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜为(0001)六方晶氮化硼薄膜或者乱层氮化硼薄膜。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜具有一个原子层以上的膜厚。

11.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

Si基板、

上述Si基板上的纤锌矿AlN薄膜、以及

上述纤锌矿AlN薄膜上的纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜，

上述纤锌矿AlN薄膜构成上述Si基板上的缓冲层，

上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜、上述石墨型氮化硼薄膜和上述纤锌矿型Al_xGa_1-xN薄膜构成上述缓冲层上的双异质结构，

其中，x＞0。

12.根据权利要求11所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜为(0001)六方晶氮化硼薄膜或者乱层氮化硼薄膜。

13.根据权利要求12所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述石墨型氮化硼薄膜具有一个原子层以上的膜厚。