[发明专利]用于电子器件的材料

说明书

技术领域

本发明涉及式(I)、(II)或(III)的化合物，涉及所述化合物在电子器件中的用途，并且涉及包含式(I)、(II)或(III)化合物的电子器件。本发明还涉及式(I)、(II)或(III)化合物的制备方法，并且涉及包含一种或多种式(I)、(II)或(III)化合物的制剂。

背景技术

开发用于电子器件中的功能化合物，是当前大力研究的主题。在此处的目的特别是开发如下的化合物，使用该化合物可以在一个或多个相关点获得电子器件性质的改进，所述性质例如是发光的功率效率、寿命或颜色坐标。

根据本发明，术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路（OIC）、有机场效应晶体管（OFET）、有机薄膜晶体管（OTFT）、有机发光晶体管（OLET）、有机太阳能电池（OSC）、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（OFQD）、有机发光电化学电池（OLEC）、有机激光二极管（O-laser）和有机电致发光器件（OLED）。

特别感兴趣的是提供用于最后提及的被称为OLED的电子器件中的化合物。OLED的一般结构和功能原理是本领域普通技术人员所已知的，并且特别是描述于US4539507、US5151629、EP0676461和WO1998/27136中。

特别是考虑到广泛的商业用途，例如在显示器件中或作为光源，在OLED的性能数据方面仍需要进一步改进。在这点上，特别重要的是OLED的寿命、效率和工作电压以及达到的色值。特别是在发蓝色光的OLED的情况中，有可能在所述器件的寿命方面进行改进。此外，希望用作电子器件中功能材料的化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度，以能够在未分解的情况下升华。

关于这一点，特别是需要可选的空穴传输材料。在根据现有技术的空穴传输材料中，电压通常随空穴传输层的层厚度增加而升高。在实际中，通常需要空穴传输层具有更大的层厚度，但是这通常导致更高的工作电压和更差的性能数据。关于这一点，需要具有高载荷子迁移率的新型空穴传输材料，从而可以在工作电压仅略微升高的情况下得到更厚的空穴传输层。

将芳基胺化合物和咔唑化合物用作OLED的空穴传输材料是现有技术中已知的。在这一点上，应当参考例如公开的说明书EP1661888。然而，仍需要用于OLED中的新型空穴传输材料。特别是，需要如下的材料，使用这些材料可以达到OLED的性能数据和性质上的上述改进。

公开的说明书WO2010/064871公开了包含咔唑基团和芴基基团的化合物，其中所述基团通过氨基基团彼此直接连接。公开了所述化合物用作有机电致发光器件中的掺杂剂。仍然需要用作OLED中的空穴传输材料的可选化合物，特别是需要使用其可获得器件的良好效率和长寿命的那些化合物。

公开的说明书US2005/0221124公开了2-取代的芴基化合物，其带有咔唑基团或芳基氨基基团。该文献还公开了所述2-芴基化合物适合用作OLED中的空穴传输材料。然而，特别是在发光层中作为空穴传输材料与磷光掺杂剂组合使用时，非常希望用作空穴传输材料的化合物具有高的激发三重态能级。因此仍需要用作OLED中的空穴传输材料的可选化合物，特别是需要使用其可获得器件的良好效率和长寿命的那些化合物。

仍需要用于OLED和其它电子器件中的可选的基质材料。特别地，需要用于磷光发光体的同时导致良好效率、长寿命和低工作电压的基质材料。特别是基质材料的性质通常局限有机电致发光器件的寿命和效率。特别地，希望磷光发光体的基质材料具有高的激发三重态能级。

因此，本发明基于提供适合用于电子器件中并且特别是能够用作空穴传输材料和/或用作基质材料的化合物的技术目的，所述电子器件例如为OLED。

作为本发明的一部分，已经发现以下示出的式(I)、(II)或(III)的化合物高度适合于上述用途。

发明内容

本发明化合物的特征在于具有在其1-、3-或4-位键合至芳基氨基基团的芴基基团，其又被另外的三芳基氨基基团或咔唑基团取代。

因此，本发明涉及式(I)、(II)或(III)的化合物