[发明专利]半导体功率模块、半导体功率模块的制造方法、电路板

权利要求书

1.一种半导体功率模块，其中，

该半导体功率模块包括：

多层基板，其形成有导通孔和布线图案；

半导体元件，其配置在上述多层基板的第1面侧；以及

接合层，其形成在上述多层基板的第1面上，将上述多层基板与半导体元件之间接合，

上述接合层包括：

导电接合部，其是配置在与上述导通孔相对应的第1部位的平面状的导电接合部，由导电连接部及导电性的突状部构成，该突状部形成于上述半导体元件，该导电连接部用于将上述突状部与上述多层基板之间导通；以及

平面状的绝缘接合部，其配置在与上述第1部位不同的第2部位，以无机系材料为主要成分。

2.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其中，

上述多层基板与上述接合层之间、以及上述半导体元件与上述接合层之间通过扩散接合而接合；

上述半导体功率模块在上述多层基板与上述接合层之间、以及上述半导体元件与上述接合层之间还包括上述扩散接合时形成的扩散层。

3.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其中，

作为构成上述导电接合部的材料的接合开始温度的第1接合开始温度低于作为构成上述绝缘接合部的材料的接合开始温度的第2接合开始温度。

4.根据权利要求3所述的半导体功率模块，其中，

上述第1接合开始温度是大于等于作为构成上述导电接合部的材料中的至少一部分开始烧结反应的温度的烧结开始温度的温度，

上述第2接合开始温度是大于等于作为构成上述绝缘接合部的材料中的至少一部分开始烧结反应的温度的烧结开始温度的温度。

5.一种半导体功率模块的制造方法，其中，

该半导体功率模块的制造方法包括以下工序：

基板制作工序，制作具有导通孔和布线图案的多层基板；

第1配置工序，在上述多层基板的第1面上配置接合部，该接合部在与上述导通孔相对应的第1部位具有将上述布线图案与半导体元件之间导通的平面状的导电连接部，在与上述第1部位不同的第2部位具有平面状的绝缘接合部；

第2配置工序，将上述半导体元件以上述导电连接部与形成于上述半导体元件的导电性的突状部之间能够导通的方式配置在上述接合部上；以及

接合工序，将上述多层基板、上述接合部及上述半导体元件加热、压接，将上述多层基板与上述接合部之间、以及上述接合部与上述半导体元件之间扩散接合。

6.根据权利要求5所述的半导体功率模块的制造方法，其中，

将构成上述导电连接部的材料开始与上述半导体元件接合的温度设为第1接合开始温度，

将构成上述绝缘接合部的材料开始与上述多层基板和上述半导体元件接合的温度且是比上述第1接合开始温度高的温度设为第2接合开始温度，

上述接合工序包括以下工序：

通过以上述第1接合开始温度将上述多层基板、上述接合部及上述半导体元件加热压接，将上述导电连接部与上述半导体元件的上述突状部接合；以及

在上述导电连接部与上述半导体元件的上述突状部接合之后，通过以上述第2接合开始温度将上述多层基板、上述接合部及上述半导体元件加热压接，将上述多层基板与上述接合部、以及上述接合部与上述半导体元件接合。

7.根据权利要求6所述的半导体功率模块的制造方法，其中，

上述第1接合开始温度为构成上述导电连接部的材料中的至少一部分开始烧结反应的烧结开始温度以上的温度，

上述第2接合开始温度为构成上述绝缘接合部的材料中的至少一部分开始烧结反应的烧结开始温度以上的温度。

8.根据权利要求5所述的半导体功率模块的制造方法，其中，

将构成上述导电连接部的材料开始与上述半导体元件接合的温度设为第1接合开始温度，

将构成上述绝缘接合部的材料开始与上述多层基板和上述半导体元件接合的温度且是比上述第1接合开始温度高的温度设为第2接合开始温度，

在上述接合工序中，基于被设定为在上述第1接合开始温度保持了预定时间之后上述第2接合开始温度保持预定时间的温度曲线进行上述加热。