[发明专利]电致发光有机晶体管

权利要求书

1.一种电致发光有机晶体管，包括：

-至少一个控制电极；

-半导体结构；

-至少一个第一介电材料层，位于所述至少一个控制电极和所述半导体结构之间；

-至少一个源极电极，适于把第一种类型的电荷注入所述半导体结构；

-至少一个漏极电极，适于把第二种类型的电荷注入所述半导体结构；

其特征在于

-所述半导体结构包括至少一个p-型半导体材料层、至少一个n-型半导体材料层及至少两个发射材料层，其中每个发射材料层都直接与一个p-型半导体材料层和一个n-型半导体材料层接触。

2.如权利要求1所述的电致发光有机晶体管，其特征在于所述源极电极和所述漏极电极都与相同的半导体材料层接触。

3.如权利要求2所述的电致发光有机晶体管，其特征在于所述源极电极和所述漏极电极都与离和所述第一介电材料层接触的半导体材料层最远的半导体材料层接触。

4.如权利要求2所述的电致发光有机晶体管，其特征在于所述半导体结构位于所述第一介电材料层与所述源极电极和所述漏极电极之间。

5.如前面权利要求中任一项所述的电致发光有机晶体管，其特征在于所述电致发光有机晶体管包括第二介电材料层，其中所述半导体结构位于所述第一介电材料层和所述第二介电材料层之间。

6.如前面权利要求中任一项所述的电致发光有机晶体管，包括与所述第二介电材料层接触的第二控制电极、适于把第一种类型的电荷注入所述半导体结构的第二源极电极及适于把第二种类型的电荷注入所述半导体结构的第二漏极电极；所述第二源极电极和所述第二漏极电极与离所述第一源极电极和所述第一漏极电极所接触的半导体材料层最远的半导体材料层接触。

7.如前面权利要求中任一项所述的电致发光有机晶体管，其特征在于所述电致发光有机晶体管包括五至十一层半导体材料。