[发明专利]原料气化供给装置有效
申请号: | 201280038133.7 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN103718275A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;李婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原料 气化 供给 装置 | ||
1.一种原料气化供给装置,其特征在于,
由以下部分构成:原料箱,储存原料;原料蒸汽供给路,从原料箱的内部空间部将原料蒸汽向处理腔室供给;压力式流量控制装置,夹设在该供给路中,控制向处理腔室供给的原料蒸汽流量;和恒温加热部,将上述原料箱、原料蒸汽供给路和压力式流量控制装置加热到设定温度;做成下述结构:将在原料箱的内部空间部中生成的原料蒸汽一边通过压力式流量控制装置进行流量控制一边向处理腔室供给。
2.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
做成下述结构:将原料箱和压力式流量控制装置分解自如地一体组装固定。
3.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
将清洗气体供给路向压力式流量控制装置的一次侧以分支状连结,并且将稀释气体供给路向压力式流量控制装置的二次侧以分支状连结。
4.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
做成下述结构:把将原料箱加热的恒温加热部、和将压力式流量控制装置及原料蒸汽供给路加热的恒温加热部分离;将原料箱的恒温加热部的加热温度和压力式流量控制装置及原料蒸汽供给路的恒温加热部的加热温度分别独立地温度控制。
5.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
使原料为三甲基镓(TMGa)或三甲基铟(TMIn)。
6.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
使原料为液体或担载在多孔性担载体上的固体的原料。
7.如权利要求1所述的原料气化供给装置,其特征在于,
将压力式流量控制装置通过以下部分构成:控制阀CV;温度检测器T及压力检测器P,设在控制阀CV的下游侧;节流孔,设在压力检测器P的下游侧;运算控制部,将使用上述压力检测器P的检测值运算出的原料蒸汽的流量基于温度检测器T的检测值进行温度修正,将预先设定的原料蒸汽的流量与上述运算出的流量对比,输出将控制阀CV向使两者的差变少的方向开闭控制的控制信号Pd;加热器,将体块的原料蒸汽流动的流通路部分加热到规定温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造