[发明专利]13族元素氮化物膜的剥离方法

权利要求书

1.一种13族元素氮化物膜的剥离方法，是对于在晶种基板上设有13族元素氮化物膜的层积体，从所述晶种基板的背面一侧照射激光，通过激光剥离法，将所述13族元素氮化物膜从所述晶种基板剥离的方法，所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上，通过助熔剂法，由含有助熔剂以及13族元素的熔液，在含氮气氛下培养而成；其特征在于，

所述13族元素氮化物膜含有：设置在所述13族元素氮化物膜的自所述晶种基板一侧的界面起50μm以下的区域、分布有来自所述熔液成分的夹杂物的夹杂物分布层，以及设置在该夹杂物分布层上、所述夹杂物很少的夹杂物缺乏层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着所述13族元素氮化物膜的横截面观察时，所述夹杂物分布层中的所述夹杂物的最大面积在60μm²以下。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述13族元素氮化物为氮化镓、氮化铝或氮化铝镓。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述13族元素氮化物中含有锗、硅、氧中的至少1个，显示n型。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，将所述夹杂物分布层的厚度设为1时，所述夹杂物缺乏层的厚度为20～0.1。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的方法，其特征在于，所述晶种基板具备有单晶基板以及设置在该单晶基板上的晶种膜，在所述晶种膜上培养所述13族元素氮化物膜，从所述单晶基板的背面一侧照射所述激光，令所述13族元素氮化物膜剥离。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的方法，其特征在于，将所述13族元素氮化物膜从所述晶种基板剥离后，除去所述夹杂物分布层。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的方法，其特征在于，在所述13族元素氮化物膜上形成n型半导体层、发光区域以及p型半导体层，然后将所述13族元素氮化物膜从所述晶种基板剥离。