[发明专利]半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜

权利要求书

1.一种半导体晶片表面保护用膜，包括：

基材层（A），其在150℃的储存弹性模量G_A（150）为1MPa以上；

软化层（B），其在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B（120～180）为0.05MPa以下，且在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层（B）在100℃的储存弹性模量G_B（100）为1MPa以上。

3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层（B）在60℃的拉伸弹性模量E_B（60）与在25℃的拉伸弹性模量E_B（25）满足1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1的关系。

4.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，进一步包括粘着层（C），其隔着所述软化层（B）而配置于与所述基材层（A）相反侧；

所述粘着层（C）的依据JIS Z0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。

5.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述基材层（A）配置于最表面。

6.如权利要求4所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述粘着层（C）隔着所述软化层（B）而配置于与所述基材层（A）相反侧的最表面。

7.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述软化层（B）包含：烃烯烃的均聚物、烃烯烃的共聚物、或这些的混合物。

8.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，构成所述软化层（B）的树脂的密度为880kg/m³～960kg/m³。

9.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，所述基材层（A）是聚烯烃层、聚酯层、或聚烯烃层与聚酯层的层叠体。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体晶片表面保护用膜上，以所述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置半导体晶片的步骤；

在所述半导体晶片的外周，形成保持所述半导体晶片的所述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤；

对通过所述隆起部而保持的所述半导体晶片的电路非形成面进行磨削的步骤；

自所述半导体晶片的电路形成面剥离所述半导体晶片表面保护用膜的步骤；

所述隆起部在100℃的储存弹性模量G（100）为1MPa以上。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体晶片表面保护用膜是如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用膜，

以120℃～180℃的温度、1MPa～10MPa的压力热压接所述半导体晶片表面保护用膜与所述半导体晶片而形成所述隆起部。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述半导体晶片表面保护用膜上以所述半导体晶片的电路形成面与半导体晶片表面保护用膜接触的方式配置所述半导体晶片的步骤中的膜的温度TM、与形成所述半导体晶片表面保护用膜的隆起部的步骤中的热压接温度TP、以及所述软化层（B）的软化点温度TmB满足以下通式的关系：

[式1]TP≤TM

[式2]TmB＜TP＜TmB+40℃。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述半导体晶片表面保护用膜的软化层（B）较基材层（A）而成为所述半导体晶片的电路形成面侧的方式，将所述半导体晶片配置于所述半导体晶片表面保护用膜上。

14.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体晶片包含莫氏硬度为8以上的高硬度材料基板。