[发明专利]具有双重检测功能的多基底图像传感器

权利要求书

1.一种具有双重检测功能的多基底图像传感器，所述传感器包括：

形成于第一基底上的第一光电二极管；

形成于第二基底上的第二光电二极管；

其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管互相电接触。

2.一种具有双重检测功能的多基底图像传感器，所述传感器包括：

形成于第一基底上的第一光电二极管和第一衬垫；

形成于第二基底上的第二光电二极管和第二衬垫；

其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管通过所述第一衬垫和所述第二衬垫的接触相互电耦合。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，所述第一基底和所述第二基底由硅、锗或者砷化镓制成。

4.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，在所述第二基底上形成全部或者部分接入晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，转移晶体管选择性形成于所述第一基底和第二基底中的一个上。

6.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，接入晶体管的第一转移晶体管形成于所述第一基底上，第二转移晶体管形成于所述第二基底上。

7.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管通过接触组合为一个像素中的完整光电二极管。

8.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管的P-N结合区域的尺寸互不相同。

9.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管中的至少一个光电二极管在其周围形成有沟槽。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述沟槽填充有不可渗透的材料。

11.一种具有双重检测功能的多基底图像传感器，所述传感器包括：

形成于第一基底上的第一光电二极管和第一转移晶体管；

形成于第二基底上的第二光电二极管和第二转移晶体管；

其中，所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管相互电接触。

12.一种具有双重检测功能的多基底图像传感器，所述传感器包括：

形成于第一基底上的第一光电二极管和第一转移晶体管；

形成于第二基底上的第二光电二极管；

其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管相互电接触。

13.一种具有双重检测功能的多基底图像传感器，所述传感器包括：

形成于第一基底上的第一光电二极管；

形成于第二基底上的第二光电二极管和第二转移晶体管；

其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管相互电接触。