[发明专利]电流扩散效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，

包括：

n型氮化物层，

电流扩散部，其由包含电流扩散用杂质的氮化物形成在上述n型氮化物层上，

活性层，其形成在上述电流扩散部上，以及

p型氮化物层，其形成在上述活性层上；

上述电流扩散用杂质包含碳（C）。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部单独掺杂上述电流扩散用杂质而形成。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部一同掺杂上述电流扩散用杂质和硅掺杂剂而形成。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述硅掺杂剂以德尔塔掺杂形态被掺杂。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部的厚度与上述电流扩散用杂质的浓度成反比例。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，

上述电流扩散用杂质的浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁸atoms/cm³；

上述电流扩散部的厚度为

7.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，

包括：

n型氮化物层，

电流扩散部，其由包含电流扩散用杂质的氮化物形成在上述n型氮化物层上，

活性层，其形成在上述电流扩散部上，以及

p型氮化物层，其形成在上述活性层上；

上述电流扩散用杂质包含碳（C）；

上述电流扩散部作为自由空穴的浓度为1×10¹³～5×10¹⁶/cm³的氮化物层，是对流入到上述活性层的空穴进行引导的层。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部单独掺杂上述电流扩散用杂质而形成。

9.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部一同掺杂上述电流扩散用杂质和硅掺杂剂而形成。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述硅掺杂剂以德尔塔掺杂形态被掺杂。

11.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部的厚度与上述电流扩散用杂质的浓度成反比例。

12.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部的厚度为

13.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，

包括：

n型氮化物层，

电流扩散部，其形成在上述n型氮化物层上，

活性层，其形成在上述电流扩散部上，以及

p型氮化物层，其形成在上述活性层上；

上述电流扩散部为包含高于其他层的碳浓度的碳的氮化物层。

14.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部单独掺杂上述电流扩散用杂质而形成。

15.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部一同掺杂上述电流扩散用杂质和硅掺杂剂而形成。

16.根据权利要求14所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述硅掺杂剂以德尔塔掺杂形态被掺杂。

17.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部为包含高于上述活性层的碳浓度或者上述n型氮化物层的碳浓度的碳的氮化物层。

18.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于

上述电流扩散部的碳浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁸atoms/cm³；

上述电流扩散部的总厚度为

19.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流扩散部的厚度与上述电流扩散用杂质的浓度成反比例。