[发明专利]氮化膜的制造装置及其制造方法、以及其制造程序有效
申请号: | 201280038970.X | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN103748668B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 村上彰一;畑下晶保 | 申请(专利权)人: | SPP科技株式会社 |
主分类号: | H01L21/318 | 分类号: | H01L21/318;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/52 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 日本国东京都千代田区大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 制造 装置 及其 方法 程序 | ||
1.一种氮化膜的制造装置,其为在反应室内所配置的基板上使用等离子体CVD法形成氮化膜的氮化膜的制造装置,其特征在于,包含:
控制部,该控制部为了形成该氮化膜,根据使用独立地施加相对较高频率的第一高频电力及/或相对较低频率的第二高频电力而得到稳定在预定数值范围内的该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布,算出用以得到所需要(包含应力为0时)的该氮化膜的压缩应力或拉伸应力而被施加该第一高频电力的第一期间及被施加该第二高频电力的第二期间。
2.如权利要求1所述的氮化膜的制造装置,其特征在于,该控制部交替地施加该第一期间及该第二期间。
3.如权利要求1或2所述的氮化膜的制造装置,其特征在于,该预定数值范围使该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布的不均匀性为±5%以内的范围。
4.如权利要求1或2所述的氮化膜的制造装置,其特征在于,稳定在该预定数值范围内的该氮化膜的折射率及/或该氮化膜的沉积速度分布是通过使选自由该基板的温度、该反应室内的压力、被导入至该反应室内的反应性气体的流量、及被导入至该反应室内的非反应性气体的流量所组成群组中的至少一个数值变动而得到。
5.一种氮化膜的制造方法,其为在反应室内所配置的基板上,使用等离子体CVD法而形成氮化膜的氮化膜的制造方法,其特征在于,包含以下工序:
为了形成该氮化膜,使用独立地施加相对较高频率的第一高频电力及/或相对较低频率的第二高频电力而得到的稳定在预定数值范围内的该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布的工序;以及
基于该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布,算出用以得到所需要(包含应力为0时)的该氮化膜的压缩应力或拉伸应力而被施加该第一高频电力的第一期间及被施加该第二高频电力的第二期间的工序。
6.如权利要求5所述的氮化膜的制造方法,其特征在于,该第一期间与该第二期间是交替地设置。
7.如权利要求5或6所述的氮化膜的制造方法,其特征在于,该预定数值范围是使该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布的不均匀性为±5%以内的范围。
8.一种氮化膜的制造程序,其为在反应室内所配置的基板上,使用等离子体CVD法而形成氮化膜的氮化膜的制造程序,其特征在于,包含使电脑运行以下步骤的命令:
使其取得为了形成该氮化膜,使用独立地施加相对较高频率的第一高频电力及/或相对较低频率的第二高频电力而得到稳定在预定数值范围内的该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布的步骤;以及
使其基于该氮化膜的折射率分布及/或该氮化膜的沉积速度分布,算出用以得到所需要(包含应力为0时)的该氮化膜的压缩应力或拉伸应力而被施加该第一高频电力的第一期间及被施加该第二高频电力的第二期间的步骤。
9.一种记录媒体,其特征在于,其记录如权利要求8的该氮化膜的制造程序。
10.一种氮化膜的制造装置,其特征在于,其具备使用如权利要求8或9的该氮化膜的制造程序进行控制的控制部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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