[发明专利]太阳能电池基底、其制备方法以及使用其的太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池基底，其包括：

底部基底；

位于底部基底的顶部上的底部电极；和

在底部基底和底部电极之间的金属扩散阻挡层，其包括一层或多层金属层，其中当所述金属扩散阻挡层包括两层或更多层金属层时，彼此接触的金属层可以具有不同的金属。

2.权利要求1的太阳能电池基底，其中所述扩散阻挡层的所述一层或多层金属层中含有Na。

3.权利要求2的太阳能电池基底，其中Na包含在与底部电极接触的金属层中。

4.权利要求2的太阳能电池基底，其中Na的含量为0.0005重量％至0.1重量％。

5.权利要求1的太阳能电池基底，其中包括两层或更多层金属层的扩散阻挡层在所述至少两层或更多层金属层之间还含有氧化物层。

6.权利要求5的太阳能电池基底，其中所述氧化物层由SiO_x、SiN_x以及Al₂O₃中的任一种形成。

7.权利要求1的太阳能电池基底，其中所述两层或更多层金属层具有彼此不同的金属材料。

8.权利要求1的太阳能电池基底，其中所述金属为Cr、Ti、Ni和Mo中的任一种。

9.权利要求1的太阳能电池基底，其中所述扩散阻挡层的厚度为100至500nm，并且，当所述扩散阻挡层包括两层或更多层时，每层金属层的厚度为10nm或更高。

10.权利要求1的太阳能电池基底，其中所述底部电极选自玻璃、不锈钢、铝箔、Fe-Ni基金属、Fe-Cu基金属以及聚酰亚胺。

11.一种太阳能电池，其包括：

太阳能电池基底，其包括底部基底、位于底部基底的顶部上的底部电极和形成于底部基底和底部电极之间的金属扩散阻挡层，所述金属扩散阻挡层包括一层或多层金属层，当所述金属扩散阻挡层包括两层或更多层金属层时，彼此接触的金属层可以具有不同的金属；

p-型吸光层，其位于太阳能电池基底上；

n-型缓冲层，其位于吸光层上；

透明窗，其位于缓冲层上；和

顶部电极，其位于透明窗上。

12.权利要求11的太阳能电池，其中所述扩散阻挡层的所述一层或多层金属层中含有Na。

13.权利要求12太阳能电池，其中包括两层或更多层金属层的扩散阻挡层在所述两层或更多层金属层之间还含有氧化物层。

14.权利要求13的太阳能电池，其中所述氧化物层由SiO_x、SiN_x以及Al₂O₃中的任一种形成。

15.权利要求11的太阳能电池，其中吸光层包含CIGS，缓冲层作为n型半导体包含CdS，并且透明窗包含ZnO。

16.一种制备太阳能电池基底的方法，所述方法包括：

将含Na金属粒子分散在用于电镀的电解液中；且

通过使用所述分散有含Na金属粒子的电解液在底部基底上进行电镀，并在底部基底上形成含Na的金属层，从而制备扩散阻挡层。

17.权利要求16的方法，其中所述含Na金属粒子为氧化钠(NaO₂)。

18.权利要求17的方法，其中所述氧化钠(NaO₂)的粒子直径为10至100nm。

19.权利要求17的方法，其中分散的氧化钠的粒子浓度为0.1至100g/L。

20.权利要求16的方法，其中电镀过程包括：

溶解待电镀的金属盐，使得金属盐具有的金属离子浓度为1至100g/L；

将分散有含Na金属粒子的电镀浴加热，使得电镀浴达到50至60℃的温度，并通过向电镀浴施加电流密度为0.1至100A/dm²的电流而实施电镀操作。