[发明专利]半导体发光元件以及包含该半导体发光元件的叠层体

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其具有13族元素氮化物膜、设置在该13族元素氮化物膜上的n型半导体层、设置在该n型半导体层上的发光区域以及设置在该发光区域上的p型半导体层，

所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮气氛下育成的，其特征在于，

所述13族元素氮化物膜含有夹杂物分布层和夹杂物缺乏层，所述夹杂物分布层被设置于自所述13族元素氮化物膜的所述晶种基板侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自所述熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层被设置于该夹杂物分布层上，且所述夹杂物缺乏层中缺乏所述夹杂物。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，沿着所述13族元素氮化物膜的横截面观察时，所述夹杂物分布层中的所述夹杂物的最大面积在60μm²以下。

3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述13族元素氮化物为氮化镓、氮化铝或氮化铝镓。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述13族元素氮化物中含有锗、硅、氧中的至少1个，显示为n型。

5.根据权利要求1～4的任意一项所述的发光元件，其特征在于，其是从所述13族元素氮化物膜除去所述夹杂物分布层而得到的。

6.一种叠层体，其特征在于，具备单晶基板、设置于该单晶基板上的晶种膜以及设置于该晶种膜上的权利要求1～5的任意一项所述的发光元件。

7.一种叠层体，其特征在于，具备晶种膜以及设置于该晶种膜上的权利要求1～5的任意一项所述的发光元件。