[发明专利]叠层型光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种叠层型光电转换装置的制造方法，所述叠层型光电转换装置从光入射侧至少具有前方光电转换单元和后方光电转换单元，其中，

所述叠层型光电转换装置的制造方法包括：通过等离子体CVD法形成前方光电转换单元的工序，和在所述前方光电转换单元上，通过等离子体CVD法形成后方光电转换单元的工序，

所述前方光电转换单元形成工序中，依次形成一导电型层、实质上本征的非晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，并且前方光电转换单元的逆导电型层的至少与后方光电转换单元相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层，

所述后方光电转换单元形成工序中，依次形成晶体的一导电型层、实质上本征的晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，

形成所述硅复合层后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元的晶体的一导电型层和晶体硅类光电转换层，

所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的碳浓度为1×10¹⁷atm/cm³以下，氧浓度为2×10¹⁸atm/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成开始时的功率密度，是所述前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。

3.根据权利要求1或2所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成开始时的制膜压力，比所述前方光电转换单元的硅复合层形成时的制膜压力高。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成初期部分,以前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的功率密度进行制膜，然后剩余的主体部分以比形成初期部分高的功率密度进行制膜。

5.根据权利要求4所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的所述主体部分形成时的功率密度，是所述前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度以上。

6.一种叠层型光电转换装置的制造方法，所述叠层型光电转换装置从光入射侧至少具有前方光电转换单元和后方光电转换单元，其中，

所述叠层型光电转换装置的制造方法包括：通过等离子体CVD法形成前方光电转换单元的工序，和在所述前方光电转换单元上通过等离子体CVD法形成后方光电转换单元的工序，

所述前方光电转换单元形成工序中，依次形成一导电型层、实质上本征的非晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，并且前方光电转换单元的逆导电型层的至少与后方光电转换单元相接的一侧，是在含有硅和氧的非晶体合金中混合存在有硅结晶相的硅复合层，

所述后方光电转换单元形成工序中，依次形成晶体的一导电型层、实质上本征的晶体硅类光电转换层、以及逆导电型层，

形成所述硅复合层后，不取出至大气中，而是在同一制膜室内，形成后方光电转换单元的晶体的一导电型层和晶体硅类光电转换层，

后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成开始时的功率密度，是前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的范围。

7.根据权利要求6所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成开始时的制膜压力，比所述前方光电转换单元的硅复合层形成时的制膜压力高。

8.根据权利要求6或7所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的形成初期部分，以前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度的0.1倍以上且小于1倍的功率密度进行制膜，然后剩余的主体部分以比形成初期部分高的功率密度进行制膜。

9.根据权利要求8所述的叠层型光电转换装置的制造方法，其中，所述后方光电转换单元的晶体硅类光电转换层的所述主体部分形成时的功率密度，是所述前方光电转换单元的硅复合层形成时的功率密度以上。