[发明专利]未对准数据结合

说明书

技术领域

本发明一股来说涉及半导体存储器装置及方法，且更特定来说，涉及用于结合未对准数据的方法及系统。

背景技术

存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可装卸装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)及快闪存储器以及其它存储器。

存储器装置用作需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的大范围电子应用的非易失性存储器。非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如，MP3播放器及电影播放器)以及其它电子装置中。

存储器系统可从主机接收与将写入到所述存储器系统的一个或一个以上存储器装置的数据相关联的写入命令。存储器系统可以大于主机的数据传送大小的部分来写入数据。举例来说，主机的数据传送大小可为一扇区，例如512到528字节的数据。然而，存储器系统可以页将数据传送到存储器装置/从存储器装置传送数据，页可包含多个扇区，举例来说，例如4096字节的数据或更多。写入到存储器装置及/或从存储器装置读取的每一数据扇区可与特定逻辑地址相关联。

由于主机的数据传送大小可小于存储器装置的页大小，因此可发生可称为读取-修改-写入(RMW)操作的操作。举例来说，将小于页大小的数据量写入到存储器装置可包含从所述存储器装置读取整个数据页、用新数据更新所述页及接着将所述经更新页写回到所述存储器装置。执行读取-修改-写入操作可增加与存储器系统相关联的耗损，且可降低存储器系统的性能，以及其它缺点。作为一实例，如果与5个循序写入命令相关联地将对应于5个逻辑地址的数据写入到存储器装置，那么可执行5个单独读取-修改-写入过程以将数据写入到所述存储器装置。

附图说明

图1图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例与写入命令相关联的数据。

图2图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的结合识别数据结构。

图3A图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的读取结合数据结构。

图3B图解说明根据本发明的一个或一个以上实施例的写入结合数据结构。

图4是根据本发明的一个或一个以上实施例包含至少一个存储器系统的计算系统的功能框图。

具体实施方式

本发明包含用于结合未对准数据的方法及系统。一种方法包含：接收与第一未对准数据部分相关联的第一写入命令，接收与第二未对准数据部分相关联的第二写入命令，及结合所述第一未对准数据部分与所述第二未对准数据部分，其中结合包含将所述第一未对准数据部分及所述第二未对准数据部分写入到存储器装置中的一页。

在本发明的以下详细描述中，参考形成本发明的一部分的附图，且在附图中以图解说明的方式展示可如何实践本发明的若干个实施例。充分详细地描述这些实施例以使得所属领域的技术人员能够实践本发明的所述实施例，且应理解，可利用其它实施例且可做出过程、电及/或结构改变，此并不背离本发明的范围。

如本文中所使用，“若干个”某事物可指代一个或一个以上此类事物。举例来说，若干个存储器装置可指代一个或一个以上存储器装置。另外，如本文中所使用的标示符“N”及“M”(特定来说关于图式中的参考编号)指示如此标示的若干个特定特征可包含于本发明的若干个实施例中。

本文中的图遵循编号惯例：其中第一数字或前几个数字对应于图式图编号，且剩余数字识别所述图式中的元件或组件。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字来识别。举例来说，在图1中100可指代参考元件“00”，且类似元件可在图2中指代为“200”。如将了解，可添加、交换及/或消除本文中的各种实施例中所展示的元件以便提供本发明的若干个额外实施例。另外，如将了解，图中所提供元件的比例及相对尺度打算图解说明本发明的实施例且不应以限制意义来理解。