[发明专利]聚(羟甲基)官能化硅氧烷和硅胶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201280039449.8 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN103797048A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 弗洛里安·霍夫曼;萨沙·安德烈·埃哈特;伯恩哈德·里格尔;于尔根·施托雷尔 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C08G77/14 分类号: C08G77/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;张英
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 甲基 官能 化硅氧烷 硅胶 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制备通式I的聚(羟甲基)官能化硅氧烷的方法:

(SiO4/2)k(R1SiO3/2)m(R12SiO2/2)p(R13SiO1/2)q(O1/2H)t

[(O1/2)2+ySiR21-y-CH2-OH]s

式I,

包括使具有至少一个通式II的单元的环状化合物与水反应:

[SiR2(OR3)-CH2-O]n

式II,

其中可选地进一步存在一种或多种通式III的可水解化合物:

R13-zSiY1+z

式III,

以及其中,

R1是氢原子或者环状或非环状、直链或支链、芳香族或脂肪族或烯族、饱和或不饱和C1-C20烃基残基或C1-C20烃氧基残基或C4-C40聚醚残基,每个可选地被Q1取代,可选地被一个或多个Q2基团间断或包含一个或多个Q2基团,

R2是羟基残基或者环状或非环状、直链或支链、芳香族或脂肪族或烯族、饱和或不饱和C1-C20烃基残基或C1-C20烃氧基残基或C4-C40聚醚残基或Si1-Si20硅氧烷氧基残基,每个可选地被Q1取代,可选地被一个或多个Q2基团间断或包含一个或多个Q2基团,

R3是氢或者环状或非环状、直链或支链、芳香族或脂肪族或烯族、饱和或不饱和C1-C20烃基残基或C4-C40聚醚残基或Si1-Si20硅氧烷基残基,每个可选地被Q1取代,可选地被一个或多个Q2基团间断或包含一个或多个Q2基团,

Q1是含杂原子的单价残基,

Q2是含杂原子的二价残基或含杂原子的三价残基,

Y是通过杂原子连接到硅上的可水解基团,

k、m、p、q和t大于或等于零,

s和n大于零,

y是0或1,以及

z是0、1、2或3。

2.根据权利要求1所述的方法,其中R1和R2是直链或支链或环状C1-C6烃基残基或C1-C6烃氧基残基,且R3是直链或支链或环状C1-C6烃基残基。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中具有至少一个所述通式II的单元的所述化合物选自化合物1至6:

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