[发明专利]存储器单元结构

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

第一电极，其具有相对于所述第一电极的底面成小于90度角的侧壁；

第二电极，其包含所述第二电极的电极接触部分，所述电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁，其中所述第二电极在所述第一电极上方；及

存储元件，其介于所述第一电极与所述第二电极的所述电极接触部分之间。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二电极的电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一电极具有梯形横截面区域及选自由笔直、凹形或凸形组成的群组的侧壁。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述第一电极的所述梯形横截面区域的顶面为所述第一电极的电极接触部分且与所述存储元件接触。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述第一电极具有三角形横截面区域及选自由笔直、凹形或凸形组成的群组的侧壁。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述存储元件包含电阻可变材料及存取装置。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述电极接触的所述侧壁朝向所述存储元件会聚。

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中所述存储器单元的有源区介于所述第一电极的顶点与所述第二电极的所述电极接触部分的顶点之间。

9.一种存储器单元，其包括：

电阻可变材料，其形成于具有非垂直侧壁的第一电极的钝峰上；

第一电介质材料，其形成于所述电阻可变材料上且具有形成于其内的谷；及

第二电极的接触部分，其形成于所述谷中使得所述接触具有由所述谷界定的非垂直侧壁。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述第二电极的剩余部分形成于所述谷内的第二电极的所述接触部分上方，使得所述第二电极的所述剩余部分具有由所述谷界定的成角度侧壁。

11.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述第一电极为底部电极且第二电介质材料形成于谷中，所述谷具有形成于所述底部电极与邻近底部电极之间的成角度侧壁。

12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述第一电极为底部电极导体线。

13.根据权利要求12所述的存储器单元，其中所述第二电极为与所述底部电极导体线不平行的顶部电极导体线。

14.一种存储器单元，其包括：

电阻可变材料，其形成于具有成角度侧壁的第一电极的尖峰上，使得所述电阻可变材料包含尖峰及成角度侧壁；

第一电介质材料，其形成于所述电阻可变材料上且具有形成于其内的谷；及

第二电极的接触部分，其形成于所述谷中使得所述第二电极的所述接触部分具有由所述谷界定的成角度侧壁。

15.根据权利要求14所述的存储器单元，其中所述第二电极的剩余部分形成于所述谷内的所述接触上使得所述第二电极的所述剩余部分具有由所述谷界定的成角度侧壁。

16.根据权利要求14所述的存储器单元，其中所述第二电极的所述接触部分形成于所述电阻可变材料的所述尖峰上且与所述电阻可变材料的所述侧壁重叠。

17.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中由所述电阻可变材料的所述侧壁界定所述第二电极的所述接触部分与所述电阻可变材料之间的接触的表面积。

18.根据权利要求14到16中任一权利要求所述的存储器单元，其中所述第二电极的所述接触部分的所述成角度侧壁相对于所述第一电介质材料的底面成约10度到约80度角。

19.一种存储器单元，其包括：

第一电极，其具有鞍形区；

电阻可变材料，其形成于所述鞍形区中且具有与所述第一电极接触的一部分；及

第二电极，其具有与所述电阻可变材料接触的一部分。