[发明专利]晶锭生长设备和制造晶锭的方法

权利要求书

1.一种晶锭生长设备，包括：

含有硅熔体的坩埚；

提拉装置，所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭；以及

掺杂剂供给单元，所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置，并且用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的晶锭生长设备，其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具，并且所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合。

3.根据权利要求2所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元环绕所述晶种。

4.根据权利要求1所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂。

5.根据权利要求4所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁶原子/cm³至1×10¹⁹原子/cm³的掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的掺杂剂。

7.根据权利要求3所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁以及以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部，并且所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中。

8.根据权利要求7所述的晶锭生长设备，其中，所述容纳部包括通孔，颈部穿透所述通孔。

9.根据权利要求1所述的晶锭生长设备，其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置。

10.根据权利要求1所述的晶锭生长设备，其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼。

11.一种制造晶锭的方法，所述方法包括：

制备硅熔体；

从所述硅熔体形成颈部；以及

从所述硅熔体生长晶锭，

其中，在所述颈部的形成中提供掺杂剂。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂剂的浓度在1×10¹⁶原子/cm³至1×10¹⁹原子/cm³的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述颈部中形成的所述颈部的直径为5mm或大于5mm。