[发明专利]三维离子制程用的装置及其方法

权利要求书

1.一种处理工件的方法，包括：

引导第一离子束朝向工件的第一区域，所述第一离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓；以及

引导第二离子束朝向所述工件的所述第一区域，所述第二离子束具有经由所述萃取板的所述孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓，其中所述第二离子角轮廓不同于所述第一离子角轮廓。

2.根据权利要求1所述的处理工件的方法，包括分别在第一时段与第二时段提供所述第一离子角轮廓与所述第二离子角轮廓各多次，其中所述第一时段与所述第二时段各自包括小于约100毫秒的时长。

3.根据权利要求2所述的处理工件的方法，其中所述第一时段不同于所述第二时段。

4.根据权利要求1所述的处理工件的方法，还包括以交替方式来提供所述第一离子角轮廓与所述第二离子角轮廓多次。

5.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其中所述第一离子角轮廓为单峰式轮廓，且所述第二离子角轮廓为双峰式轮廓。

6.根据权利要求1所述的处理工件的方法，还包括：

在引导所述第一离子角轮廓朝向所述工件前先最佳化所述第一离子角轮廓，所述最佳化包括：

测量所述第一离子角轮廓的第一最大角实验值；

将所述第一最大角实验值与第一最大角目标值做比较；以及

若所述第一最大角实验值与所述第一最大角目标值不相同，则调整控制参数。

7.根据权利要求6所述的处理工件的方法，还包括：

在提供所述第二离子角轮廓前先最佳化所述第二离子角轮廓，所述最佳化包括：

测量所述第二离子角轮廓的第二最大角实验值；

将所述第二最大角实验值与第二最大角目标值做比较；以及

若所述第二最大角实验值与所述第二最大角目标值不相同，则调整控制参数。

8.根据权利要求1所述的处理工件的方法，还包括：

在引导所述第一离子角轮廓朝向所述工件前先最佳化所述第一离子角轮廓，所述最佳化包括：

测量以第一目标角度入射的第一离子流；

若所述第一离子流不是峰值离子流，则对离子植入系统的控制参数进行第一次调整；

测量以第二目标角度入射的第二离子流；以及

若所述第一离子流对所述第二离子流的比率与目标比率不匹配，则对所述离子植入系统的所述控制参数进行第二次调整。

9.根据权利要求8所述的处理工件的方法，还包括：执行完所述第二次调整后，

测量所述第一离子轮廓的总离子流；以及

若所述总离子流与总离子流目标值不相同，则调整萃取脉冲序列的工作周期。

10.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其中所述第一离子角轮廓与所述第二离子角轮廓的总和包括第三离子轮廓，所述方法还包括：使所述工件相对于所述萃取板进行扫描，同时将所述第三离子轮廓提供给所述工件。

11.根据权利要求1所述的处理工件的方法，其中提供所述第一离子角轮廓与所述第二离子角轮廓包括将射频产生器所产生的第一幅度的第一射频信号与第二幅度的第二射频信号发送给天线。

12.根据权利要求11所述的处理工件的方法，还包括提供偏压脉冲串给所述工件，其中所述第一离子角轮廓与所述第二离子角轮廓是在所述偏压脉冲串的接通时段期间形成，在所述接通时段期间离子被吸引到所述工件上，以及其中所述第一功率位准与所述第二功率位准之间的转换是在所述偏压脉冲串的断开时段期间进行，在所述断开时段期间离子不会被吸引到所述工件上。

13.根据权利要求1所述的处理工件的方法，还包括将经由所述萃取板而萃取的第三离子的第四离子轮廓提供给所述工件的所述第一区域，其中所述第三离子的所述第四离子轮廓不同于经由所述萃取板而萃取的所述第一离子的所述第一离子轮廓和所述第二离子的所述第二离子轮廓。