[发明专利]半导体模块

说明书

一种半导体模块，其具有：一对半导体元件（16，18），它们具有与第1电力系统（BT）电气连接的第1端子（12，14）、和与第2电力系统（M）电气连接的第2端子（13），彼此串联连接；散热器（7）；第1电极（10），其分别与所述第1端子的一个第1端子（12）、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件（16）的一个电极电气连接；输出电极（11），其分别与所述第2端子（13）、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件（18）的一个电极电气连接；以及第2电极（9），其与所述第1端子的另一个第1端子（14）电气连接，所述第2电极（9）经由第1绝缘部件（8a）与所述散热器（7）连接，所述输出电极（11）经由第2绝缘部件（8b）与所述第2电极（9）连接。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术

已知一种电力变换装置，其通过对冷却片（散热器）的材质使用例如陶瓷等，降低电力变换装置（变换器）的对地寄生电容，从而能够降低成为噪声的原因的泄漏电流（专利文献1）。

专利文献1：日本特许第3,649,259号公报

发明内容

然而，在上述现有技术的结构中，与冷却片由金属形成的情况相比，能够降低电力变换装置的对地寄生电容，但例如陶瓷的导热系数比金属的导热系数低，因此可能无法充分地使电力变换装置冷却。

本发明的目的在于，降低电力变换装置的对地寄生电容，并且防止冷却电力变换装置的性能下降。

本发明通过下述方式实现上述目的，即，通过经由绝缘部件将输出电极与第2电极连接，经由其它绝缘部件将第2电极与散热器连接。

发明的效果

根据本发明，输出电极经由第2电极接地，输出电极与接地之间的寄生电容、和第2电极与接地之间的寄生电容成为串联连接的电路结构，因此，能够降低共模电流，并且，输出电极和第2电极由低电阻连接，因此能够防止冷却电力变换装置的性能下降。

附图说明

图1是表示使用本发明的一个实施方式所涉及的半导体模块的变换器电路的一个例子的电路图。

图2是用于说明共模电流的电路图。

图3A是表示本发明的一个实施方式所涉及的半导体模块的侧视图。

图3B是图3A的俯视图。

图4是用于说明图3A、图3B的半导体模块的作用效果的电路图。

图5A是表示图3A、图3B的半导体模块的变形例的侧视图。

图5B是图5A的俯视图。

图6A是表示本发明的其它实施方式所涉及的半导体模块的侧视图。

图6B是图6A的俯视图。

图7是用于说明图6A、6B的半导体模块的作用效果的电路图。

具体实施方式

本发明涉及一种电力模块和对其进行冷却的散热器，该电力模块构成利用例如SiC等宽带隙半导体元件的电力变换器的开关部分。在利用宽带隙半导体元件的电力变换器中，为了发挥该元件的特性并进行小型化，使电源电压高电压化，为了降低损耗而要求高速地进行元件的通断。

然而，高电压的变换器必须与接地（以下，也称为GND）绝缘，如果电源电压升高，高速地进行接通/断开，则每单位时间的电压变化量（dV/dt）变大，存在在电力模块和GND之间的绝缘层中寄生的静电电容中流过的电流增大的问题。