[发明专利]启动电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

耗尽型晶体管，耦合至功率供应；以及

电流路径，与所述耗尽型晶体管串联耦合以提供用于对电容器充电的电流，所述电流路径在第一阶段期间具有第一电阻，并且在当所述电容被充电至具有预定电压电平时的第二阶段期间具有第二电阻。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电流路径进一步包括：

电阻性路径，被配置为具有所述第一电阻；以及

可切换路径，与所述电阻性路径并联耦合，所述可切换路径在所述第一阶段期间处于断开状态，并且在当所述电容器被充电至具有所述预定电压电平时的所述第二阶段期间处于闭合状态。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述可切换路径包括晶体管，并且所述电路包括当所述电容器被充电至具有所述预定电压电平时进行上电以接通所述晶体管的控制电路。

4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一电阻大于所述第二电阻。

5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电流路径进一步包括：

二极管，被配置为限制用于对所述电容器充电的电流方向。

6.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

无源电压钳位部件，用于限制所述耗尽型晶体管的栅极电压。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述无源电压钳位部件包括被配置为相对于所述电容器电压而钳位所述耗尽型晶体管的所述栅极电压的二极管。

8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电容器电压对控制电路进行上电以控制所述耗尽型晶体管的栅极电压。

9.根据权利要求1所述的电路，其中，所述耗尽型晶体管是具有负阈值电压的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

10.根据权利要求1所述的电路，其中，当所述电路初始地接收功率时所述电路处于所述第一阶段。

11.一种方法，包括：

通过耗尽型晶体管和具有第一电阻的电流路径对电容器充电；以及

利用电容器电压对控制电路进行上电，并且随后当所述电容器电压处于预定电压电平时将所述电流路径改变为具有第二电阻。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，利用所述电容器电压对所述控制电路进行上电，并且随后当所述电容器电压处于所述预定电压电平时将所述电流路径改变为具有所述第二电阻进一步包括：

当所述电容器电压处于所述预定电压电平时，利用所述电容器电压对所述控制电路进行上电以将路径从断开状态切换至闭合状态。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，当所述电容器电压处于所述预定电压电平时，利用所述电容器电压对所述控制电路进行上电以将所述路径从所述断开状态切换至所述闭合状态进一步包括：

当所述电容器电压处于所述预定电压电平时，对所述控制电路进行上电以接通所述路径中的晶体管。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，采用所述电容器电压对所述控制电路进行上电，并且随后将所述电流路径改变为具有所述第二电阻进一步包括：

对所述控制电路进行上电以将所述电流路径的电阻从所述第一电阻减小至所述第二电阻。

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

利用二极管限制用于对所述电容器充电的电流方向。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

利用无源电压钳位部件对所述耗尽型晶体管的栅极电压进行钳位。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，采用所述无源电压钳位部件对所述耗尽型晶体管的所述栅极电压进行钳位进一步包括：

使用二极管相对于所述电容器电压对所述耗尽型晶体管的所述栅极电压进行钳位。

18.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

对所述控制电路进行上电以控制所述耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极电压。