[发明专利]产生低发射率层系统的方法和装置无效
申请号: | 201280040499.8 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103987674A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 哈拉尔德·格罗斯;乌多·维尔科芒 | 申请(专利权)人: | 冯·阿德纳有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C03C23/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 发射 系统 方法 装置 | ||
1.一种用于产生低发射率层系统的方法,所述方法包括以下步骤:利用沉积,在基板的至少一侧上形成至少一个透明金属IR反射层,其在下文中被称作低发射率层;以及随后利用电磁辐射对至少一个沉积层进行短暂回火,同时避免直接加热基板,其特征在于,对至少一个低发射率层进行短暂地回火,其中通过具有至少一个闪光灯,优选地多个闪光灯的闪光灯设备,利用至少一个闪光脉冲,来实现所述电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,氙闪光灯用作所述闪光灯。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述闪光灯以大于4000A/cm2的电流密度操作。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法,其特征在于,所述闪光脉冲的持续时间被设定在0.05ms与20ms之间的范围内。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,用于短暂回火的所述电磁辐射被设定为使得所述低发射率层在照射区域中接收可预定的能量输入。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,至少一个低发射率层包括银或由银组成。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,在形成至少一个低发射率层的步骤中,所述方法包括用于形成低发射率层系统的多个层。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,所述低发射率层系统包括至少两个电介质层。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其特征在于,所述方法在直列式真空涂覆设施中执行。
10.一种用于执行根据权利要求1至9中的任一项所述的方法的装置,其特征在于,所述装置包括用于对低发射率层系统中的至少一个透明金属IR反射层进行短暂回火的闪光灯设备,所述透明金属IR反射层在下文中被称作低发射率层。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述闪光灯设备具有至少一个闪光灯,优选地氙灯。
12.根据权利要求10或11所述的装置,其特征在于,所述闪光灯设备具有束成形单元,用于生成所述电磁辐射的线性强度分布。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的装置,其特征在于,所述装置包括用于控制所述闪光灯设备的能量输入的器件。
14.一种低发射率涂层,所述涂层由根据权利要求1至9中的任一项所述的方法产生。
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