[发明专利]离子束装置有效

专利信息
申请号: 201280040502.6 申请日: 2012-05-28
公开(公告)号: CN103733296A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 武藤博幸;川浪义实 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01J27/26 分类号: H01J27/26;H01J37/08;H01J37/18;H01J37/28;H01J37/317
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 张敬强;严星铁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 离子束 装置
【权利要求书】:

1.一种离子束装置,其通过将从气体电场电离离子源产生的离子束照射到试样上,进行试样的观察或加工,该离子束装置的特征在于,

上述气体电场电离离子源具有:

为阳极的发射器芯片;

为阴极的引出电极;

从气体导入口向上述发射器芯片的前端部与上述引出电极之间的空间供给气体的气体导入部;以及

收放上述发射器芯片与上述引出电极,并具备排出上述气体的排气口的真空容器,

上述气体导入口设在接地电位的结构体上。

2.根据权利要求1所述的离子束装置,其特征在于,

上述结构体是对上述离子束进行加速或集束的透镜电极。

3.根据权利要求1所述的离子束装置,其特征在于,

上述结构体以包围上述发射器芯片的方式设置。

4.根据权利要求1所述的离子束装置,其特征在于,

上述引出电极与上述发射器芯片对置地设置,

上述引出电极与上述结构体以包围上述发射器芯片的方式设置。

5.根据权利要求2所述的离子束装置,其特征在于,

上述结构体以包围上述发射器芯片的方式设置,并且,具有上述离子束通过的开口部,

上述气体通过上述开口部进行差压排气。

6.根据权利要求1所述的离子束装置,其特征在于,

上述气体导入部的气体导入口设在与上述离子束的光轴垂直且比包括上述发射器芯片的前端的平面靠上述发射器芯片侧。

7.根据权利要求1所述的离子束装置,其特征在于,

上述气体导入部的气体导入口设在比包括上述引出电极的上述发射器芯片侧的面的平面靠上述发射器芯片侧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术,未经株式会社日立高新技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280040502.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top