[发明专利]叠层体及功率半导体模块用部件的制造方法

权利要求书

1.一种叠层体，其具备：

导热系数为10W/m·K以上的导热体、

叠层于所述导热体的表面且为半固化物或固化物的第一绝缘层、以及

叠层于所述第一绝缘层的与所述导热体侧相反的表面且为未固化物或半固化物的第二绝缘层，

所述第一绝缘层包含86重量%以上且低于97重量%的导热系数为10W/m·K以上的无机填料，且所述第二绝缘层包含67重量%以上且低于95重量%的无机填料，

所述第一绝缘层的固化率为50%以上，所述第二绝缘层的固化率低于80%，且所述第一绝缘层的固化率大于所述第二绝缘层的固化率。

2.根据权利要求1所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层100重量%中所述无机填料的含量高于所述第二层100重量%中所述无机填料的含量。

3.根据权利要求1或2所述的叠层体，其是用于得到功率半导体模块用部件的叠层体。

4.根据权利要求1所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层100重量%中所述无机填料的含量高于所述第二层100重量%中所述无机填料的含量，

且该叠层体是用于得到功率半导体模块用部件的叠层体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的叠层体，其中，

在所述第一绝缘层为固化物的情况下，作为固化物的所述第一绝缘层的线热膨胀系数为20ppm/℃以下，

在所述第一绝缘层为半固化物的情况下，作为固化后的固化物的所述第一绝缘层的线热膨胀系数为20ppm/℃以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的叠层体，其中，

所述第二绝缘层在130℃下的粘度为1000Pa·s以上且20000Pa·s以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的叠层体，其中，

所述第二绝缘层的厚度与所述第一绝缘层的厚度之比为0.3以上且1以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层中包含的所述无机填料的最大粒径为50μm以下，且所述第二绝缘层中包含的所述无机填料的最大粒径为50μm以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层中包含的所述无机填料为选自氧化铝、结晶性二氧化硅、氮化硼及氮化铝中的至少一种。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层中包含的所述无机填料、及所述第二绝缘层中包含的所述无机填料分别为选自氧化铝、结晶性二氧化硅、氮化硼及氮化铝中的至少一种。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层中包含的所述无机填料为选自氧化铝、结晶性二氧化硅及氮化硼中的至少一种。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的叠层体，其中，

所述第一绝缘层是使用固化剂和具有环状醚基的固化性化合物形成的。

13.根据权利要求12所述的叠层体，其中，

用于所述第一绝缘层的固化剂是熔点为180℃以上的胺固化剂。

14.根据权利要求12或13所述的叠层体，其中，

用于所述第一绝缘层的所述具有环状醚基的固化性化合物包含具有环状醚基及稠环芳香族骨架的固化性化合物。

15.根据权利要求14所述的叠层体，其中，

所述稠环芳香族骨架为联苯骨架。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的叠层体，其中，

所述第二绝缘层是使用固化剂和具有环状醚基的固化性化合物形成的。

17.根据权利要求16所述的叠层体，其中，

用于所述第二绝缘层的固化剂是熔点为180℃以上的胺固化剂。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的叠层体，其中，

所述导热体的厚度为100μm以上且1mm以下。

19.一种功率半导体模块用部件的制造方法，其包括：

使用权利要求1～18中任一项所述的叠层体，

在所述叠层体中所述第二绝缘层的与所述第一绝缘层侧相反的表面叠层导电层的工序；

使所述第二绝缘层固化、并且当所述第一绝缘层为半固化物时使所述第一绝缘层固化的工序；以及

将所述导热体、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述导电层埋入成型用树脂内的工序。