[发明专利]区域决定装置、观察装置或检查装置、区域决定方法以及使用了区域决定方法的观察方法或检查方法有效
申请号: | 201280040589.7 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN103748670A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 中垣亮;平井大博;小原健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N23/225 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;曹鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 区域 决定 装置 观察 检查 方法 以及 使用 | ||
1.一种区域决定装置,其特征在于,具备:
计算部,其根据包含拍摄检查试样而得到的试样上的缺陷位置、或被预测为在该试样上有可能产生缺陷的缺陷位置所得的图像在内的缺陷数据的至少多种缺陷属性信息,计算上述缺陷的产生程度;以及
区域决定部,其提取出上述产生程度为预定程度以上的缺陷数据,根据提取出的该缺陷数据决定进行观察或检查的试样上的区域。
2.根据权利要求1所述的区域决定装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷数据的图案分组信息。
3.根据权利要求2所述的区域决定装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷种类的分类信息。
4.根据权利要求2所述的区域决定装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是上述缺陷的试样上的芯片位置信息或芯片内的缺陷位置的信息。
5.一种观察装置或检查装置,其特征在于,具备:
计算部,其根据包含拍摄检查试样而得到的试样上的缺陷位置、或被预测为在该试样上有可能产生缺陷的缺陷位置所得的图像在内的缺陷数据的至少多种缺陷属性信息,计算上述缺陷的产生程度;
区域决定部,其提取出上述产生程度为预定程度以上的缺陷数据,根据提取出的该缺陷数据决定进行观察或检查的试样上的区域;以及
图像取得部,其根据所决定的该区域信息,取得上述缺陷位置的图像。
6.根据权利要求5所述的观察装置或检查装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷数据的图案分组信息。
7.根据权利要求6所述的观察装置或检查装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷种类的分类信息。
8.根据权利要求6所述的观察装置或检查装置,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是上述缺陷的试样上的芯片位置信息或芯片内的缺陷位置的信息。
9.根据权利要求5所述的观察装置或检查装置,其特征在于,具备:
采样部,其根据通过上述区域决定部决定的区域信息,从该试样上的缺陷位置或被预测为有可能产生缺陷的位置进行缺陷数据的采样。
10.根据权利要求5所述的观察装置或检查装置,其特征在于,具备:
处理模式切换部,其切换进行缺陷检查处理的模式和进行缺陷复查处理的模式;以及
控制部,其在通过缺陷复查模式在上述区域决定部中决定了区域后,在检查处理模式中进行所决定的区域的检查。
11.一种区域决定方法,其特征在于,包括:
根据包含摄像检查试样而得到的试样上的缺陷位置、或被预测为在该试样上有可能产生缺陷的缺陷位置所得的图像在内的缺陷数据的至少多种缺陷属性信息,计算上述缺陷的产生程度的步骤;以及
提取出上述产生程度为预定程度以上的缺陷数据,根据提取出的该缺陷数据决定进行观察或检查的试样上的区域的步骤。
12.一种观察方法或检查方法,其特征在于,包括:
使用权利要求11中的区域决定方法决定试样上的区域,对所决定的上述区域进行观察或检查的步骤。
13.一种观察方法或检查方法,其特征在于,包括:
使用权利要求11中的区域决定方法决定试样上的区域,基于所决定的上述区域的信息,选择取得图像数据的缺陷坐标位置的步骤;以及
取得所选择出的该缺陷坐标位置的图像数据的步骤。
14.根据权利要求11~13的任一项所述的方法,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷数据的图案分组信息。
15.根据权利要求11~13的任一项所述的方法,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是缺陷种类的分类信息。
16.根据权利要求11~13的任一项所述的方法,其特征在于,
上述多种缺陷属性信息的至少一种是上述缺陷的试样上的芯片位置信息或芯片内的缺陷位置的信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造