[发明专利]具有存取闸的沉积系统及相关方法

权利要求书

1.一种沉积系统，该沉积系统包括：

由顶壁、底壁及至少一个侧壁限定的反应室；

基板支撑结构，该基板支撑结构至少局部布置在所述反应室内并且构造成支撑所述反应室内的工件基板；

至少一个气体注入装置，其用于将包括至少一种前驱气体的一种或多种工艺气体在第一位置注入到所述反应室内；

真空装置，该真空装置用于将穿过所述反应室的所述一种或多种工艺气体从所述第一位置抽至第二位置，并且用于在所述第二位置将所述一种或多种工艺气体从所述反应室排出；以及

至少一个存取闸，工件基板能穿过该存取闸被装载到所述反应室内并装载到所述基板支撑结构上，以及从所述基板支撑结构被卸载出所述反应室，所述至少一个存取闸远离所述第一位置定位。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述第一位置布置在所述基板支撑结构的第一侧，并且所述第二位置布置在所述基板支撑结构的相反的第二侧。

3.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述第二位置布置在所述基板支撑结构与所述至少一个存取闸之间。

4.根据权利要求3所述的沉积系统，所述沉积系统还包括至少一个吹扫气体注入装置，该至少一个吹扫气体注入装置构造成形成在该至少一个吹扫气体注入装置与所述真空装置之间流动的流动吹扫气体帘，所述流动吹扫气体帘布置在所述基板支撑结构与所述至少一个存取闸之间。

5.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述第二位置布置在所述基板支撑结构与所述至少一个存取闸之间。

6.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述至少一个气体注入装置定位在所述反应室的第一端，并且所述至少一个存取闸定位在所述反应室的相反的第二端。

7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述至少一个气体注入装置定位在所述反应室的第一端，并且所述至少一个存取闸定位在所述反应室的横向侧。

8.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述至少一个存取闸包括构造成在闭合的第一位置与开放的第二位置之间移动的至少一个板；在所述至少一个板在所述闭合的第一位置时，所述反应室是至少基本封闭的并且禁止穿过所述至少一个存取闸访问所述基板支撑结构；并且在所述至少一个板在所述开放的第二位置时，能够穿过所述至少一个存取闸访问所述基板支撑结构。

9.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述至少一个气体注入装置包括气体注入歧管。

10.根据权利要求1所述的沉积系统，该沉积系统还包括布置在所述反应室内的至少一个内置前驱气体炉，该至少一个内置前驱气体炉构造成用于加热至少一种前驱气体并且将所述反应室内的所述至少一种前驱气体从所述至少一个气体注入装置运送至靠近所述基板支撑结构的位置。

11.根据权利要求1所述的沉积系统，该沉积系统还包括定位在所述反应室外部的至少一个外置前驱气体注入器，该至少一个外置前驱气体注入器构造成用于加热至少一种前驱气体并且将所述至少一种前驱气体从前驱气体源运送至所述至少一个气体注入装置。

12.根据权利要求1所述的沉积系统，该沉积系统还包括至少一个机器臂装置，该机器臂装置构造成自动地穿过所述至少一个存取闸将工件基板装载到所述反应室内，以及穿过所述至少一个存取闸将工件基板从所述反应室卸载出。

13.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，用于注入一种或多种工艺气体的所述至少一个气体注入装置构造成穿过所述反应室的至少一个侧壁注入所述一种或多种工艺气体；并且所述至少一个存取闸延伸穿过另一侧壁，该另一侧壁远离所述一种或多种工艺气体被注入所穿过的所述至少一个侧壁。

14.根据权利要求13所述的沉积系统，其中，所述一种或多种工艺气体被注入所穿过的所述至少一个侧壁与所述另一侧壁定位在所述反应室的相对两端。