[发明专利]固态图像传感器在审
申请号: | 201280041321.5 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103765590A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 加藤太朗 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 曾琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
1.一种包括半导体层的固态图像传感器,所述传感器包括:
第一类型的像素,所述第一类型的像素包括第一滤色器、反射透射通过第一滤色器的光的第一反射区域、以及布置在所述半导体层中的第一光电转换部分,所述第一光电转换部分位于第一滤色器与第一反射区域之间;以及
第二类型的像素,所述第二类型的像素包括第二滤色器、反射透射通过第二滤色器的光的第二反射区域、以及布置在所述半导体层中的第二光电转换部分,所述第二光电转换部分位于第二滤色器与第二反射区域之间,
其中,与第一滤色器的最大透射率相应的波长比与第二滤色器的最大透射率相应的波长短,并且第一反射区域的面积小于第二反射区域的面积。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述半导体层包括第一面和第二面,
所述第一滤色器和所述第二滤色器布置在第二面一侧,
所述第一类型的像素还包括形成在所述半导体层的第一面上以便读出第一光电转换部分的信号的晶体管,以及
所述第二类型的像素还包括形成在所述半导体层的第一面上以便读出第二光电转换部分的信号的晶体管。
3.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述半导体层包括第一面和第二面,
所述第一滤色器和所述第二滤色器布置在第二面一侧,以及
所述第一反射区域和所述第二反射区域中的至少一个由布置在第一面一侧的布线层形成。
4.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述半导体层包括第一面和第二面,
所述第一滤色器和所述第二滤色器布置在第二面一侧,
包括多个布线层的布线结构布置在第一面一侧,以及
所述第一反射区域和所述第二反射区域由所述多个布线层中最靠近第一面的布线层形成。
5.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述半导体层包括第一面和第二面,
所述第一滤色器和所述第二滤色器布置在第二面一侧,
所述第一反射区域和所述第二反射区域中的至少一个由布置在第一面一侧的构件形成,以及
所述构件被施加固定电势或者维持处于浮置状态。
6.根据权利要求1所述的传感器,还包括:
第三类型的像素,所述第三类型的像素包括第三滤色器、反射透射通过第三滤色器的光的第三反射区域、以及布置在所述半导体层中的第三光电转换部分,所述第三光电转换部分位于第三滤色器与第三反射区域之间,
其中,与第一滤色器的最大透射率相应的波长比与第三滤色器的最大透射率相应的波长短,并且第一反射区域的面积小于第三反射区域的面积。
7.根据权利要求1至6中的任何一个所述的传感器,其中,所述第一反射区域和所述第二反射区域由含有作为主成分的铝、铜、金、钨、钛和钽中的一种的构件形成。
8.根据权利要求1至6中的任何一个所述的传感器,其中,所述第一反射区域和所述第二反射区域由电介质多层膜形成。
9.根据权利要求1至8中的任何一个所述的传感器,其中,所述半导体层的厚度不小于2μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的