[发明专利]用于产生均匀等离子体的具有分段束收集器的电子束等离子体源

权利要求书

1.一种用于处理工作件的等离子体反应器，所述等离子体反应器包含：

工作件处理腔室，所述工作件处理腔室具有处理腔室外壳及在所述处理腔室中的工作件支撑基座，所述处理腔室外壳包含顶板和侧壁及在所述侧壁中的电子束开口，所述工作件支撑基座具有工作件支撑表面，所述工作件支撑表面面向所述顶板并界定所述工作件支撑表面及所述顶板之间的工作件处理区域，所述电子束开口面向所述工作件处理区域；

电子束源腔室，所述电子束源腔室包含通向所述工作件处理腔室的所述电子束开口的电子束源腔室外壳；及

束收集器，所述束收集器在所述腔室中与所述电子束开口相对的所述腔室的一侧上，所述电子束开口及所述束收集器界定在所述电子束开口及所述束收集器之间沿第一轴的电子束路径，所述束收集器包含金属收集器阵列及绝缘间隔物阵列，所述金属收集器阵列及所述绝缘间隔物阵列沿与所述第一轴垂直的第二轴分布，所述金属收集器通过各个所述绝缘间隔物彼此隔开。

2.如权利要求1所述的等离子体反应器，所述等离子体反应器进一步包含连接至所述金属收集器阵列的个别金属收集器的个别地受控制的电压的源，以及用于设定所述个别地受控制的电压的控制器。

3.如权利要求1所述的等离子体反应器，所述等离子体反应器进一步包含连接在所述金属收集器阵列的个别金属收集器与公共电压源之间的个别地受控制的可变电阻器的集合，以及用于设定所述个别地受控制的可变电阻器的电阻的控制器。

4.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述金属收集器阵列具有沿所述第二轴的所述金属收集器的面积的分布。

5.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述绝缘间隔物阵列具有沿所述第二轴的所述金属收集器的面积的分布。

6.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述金属收集器的各别金属收集器具有不同尺寸并根据每一各别金属收集器的尺寸相对于所述第二轴被定位。

7.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述绝缘间隔物的各别金属收集器具有不同尺寸并根据每一各别绝缘间隔物的该尺寸相对于所述第二轴被定位。

8.如权利要求6所述的等离子体反应器，其特征在于，所述金属收集器阵列沿与所述金属收集器的各别面积一致的所述第二轴分布，且所述绝缘间隔物阵列沿与所述绝缘间隔物的各别面积一致的所述第二轴分布。

9.一种用于处理工作件的等离子体反应器，所述等离子体反应器包含：

工作件处理腔室，所述工作件处理腔室具有处理腔室外壳及在所述处理腔室中的工作件支撑基座，所述处理腔室外壳包含顶板和侧壁及在所述侧壁中的电子束开口，所述工作件支撑基座具有工作件支撑表面，所述工作件支撑表面面向所述顶板并界定所述工作件支撑表面及所述顶板之间的工作件处理区域，所述电子束开口面向所述工作件处理区域；

电子束源腔室，所述电子束源腔室包含通向所述工作件处理腔室的所述电子束开口的电子束源腔室外壳；

束收集器，所述束收集器在所述腔室中与所述电子束开口相对的所述腔室的一侧上，所述电子束开口及所述束收集器界定所述电子束开口及所述束收集器之间沿第一轴的电子束路径，所述束收集器包含金属收集器的阵列，所述金属收集器彼此绝缘并沿与所述第一轴垂直的第二轴分布；及

个别地受控制的电压的源，所述个别地受控制的电压连接至所述金属收集器阵列的个别金属收集器，以及控制器，所述控制器用于根据所述所要的剖面设定所述个别地受控制的电压。

10.如权利要求9所述的等离子体反应器，其特征在于，个别地受控制的电压的源包含个别地可调的电压供应阵列，所述个别地可调的电压供应阵列耦接至所述金属收集器阵列。

11.如权利要求9所述的等离子体反应器，其特征在于，个别地受控制的电压的所述源包含个别地受控制的可变电阻器阵列，所述个别地受控制的可变电阻器阵列耦接至所述金属收集器阵列的个别金属收集器。

12.如权利要求11所述的等离子体反应器，所述等离子体反应器进一步包含耦接至所述可变电阻器的每一个的公共电压源，其中所述公共电压源控制所述可变电阻器的每一个的电阻。