[发明专利]垂直相分离半导体有机材料层

权利要求书

1.一种组合物，其包含：

第一半导体有机材料(SOM1)；

与SOM1不同的第二半导体有机材料(SOM2)；

至少一种溶剂体系，

其中，SOM1和SOM2分别选自(a)至少一种空穴注入材料(HIM)和至少一种不同于空穴注入材料的空穴传输材料(HTM)，(b)至少一种第一空穴传输材料(HTM1)和至少一种不同于第一空穴传输材料的第二空穴传输材料(HTM2)，或(c)至少一种发射材料(EM)和至少一种电子传输材料(ETM)，以及，

其中，SOM2被官能化从而在去除溶剂体系以及在衬底上形成膜时促进远离衬底表面富集SOM2。

2.权利要求1所述的组合物，其中，SOM2被至少一个全氟代或至少一个半氟代的烷基链或芳基官能化。

3.权利要求1所述的组合物，其中，SOM2具有约2,000g/mol或更小的分子量。

4.权利要求1所述的组合物，其中，SOM2是可交联的材料。

5.权利要求1所述的组合物，其中，SOM1和SOM2混合时不发生电荷转移。

6.权利要求1所述的组合物，其中，溶剂体系包含至少两种不同的溶剂，而且SOM1、SOM2和溶剂体系适于在去除溶剂体系时SOM1比SOM2更早沉淀。

7.权利要求1所述的组合物，其中，溶剂体系包含至少一种极性溶剂和至少一种芳香族溶剂。

8.权利要求1所述的组合物，其中，溶剂体系包含至少两种不同的溶剂，而且SOM1、SOM2和溶剂体系适于在去除溶剂体系时SOM1比SOM2更早沉淀，其中SOM2被极性部分官能化。

9.权利要求1所述的组合物，其中，溶剂体系包含至少两种不同的溶剂，而且SOM1、SOM2和溶剂体系适于在去除溶剂体系时SOM1比SOM2更早沉淀，其中SOM2被盐部分官能化。

10.权利要求1所述的组合物，其中，衬底为柔性衬底。

11.权利要求1所述的组合物，其中，SOM1是空穴注入材料(HIM)以及SOM2是不同于空穴注入材料的空穴传输材料(HTM)。

12.权利要求11所述的组合物，其中，空穴传输材料是芳基胺。

13.权利要求11所述的组合物，其中，空穴传输材料被至少一个氟化基团、至少一个烷基和/或至少一个甲硅烷氧基官能化。

14.权利要求11所述的组合物，其中，空穴传输材料被至少一个全氟代或至少一个半氟代的烷基链或芳基官能化。

15.权利要求11所述的组合物，其中，组合物包含N4,N4'-双(4–十三氟壬基氧基苯基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；或N4,N4'-双(4-乙烯基苯基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺；或聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺。

16.权利要求11所述的组合物，其中，空穴注入材料包含共轭聚合物。

17.权利要求11所述的组合物，其中，空穴注入材料包含至少一种芳基胺聚合物。

18.权利要求11所述的组合物，其中，空穴注入材料包含至少一种聚噻吩。

19.权利要求11所述的组合物，其中，空穴注入材料包含至少一种区域规则性聚噻吩。

20.权利要求11所述的组合物，其中，空穴注入材料包含至少一种3-取代的烷氧基聚噻吩或3,4-取代的二烷氧基聚噻吩。

21.权利要求1所述的组合物，其中，SOM1和SOM2分别是至少一种第一空穴传输材料(HTM1)和至少一种不同于第一空穴传输材料的第二空穴传输材料(HTM2)。

22.权利要求21所述的组合物，其中，HTM2比HTM1具有更高的三重态能量。

23.权利要求21所述的组合物，其中，HTM2具有大于2.7eV的三重态能量，而HTM1具有小于或等于2.7eV的三重态能量。

24.权利要求21所述的组合物，其中，HTM1是芳基胺。