[发明专利]结晶化的方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

从第一能量产生器传送第一熔化能量脉冲至所述基板；

从第二能量产生器传送第二熔化能量脉冲至所述基板；

在第一凝固周期之后，从第三能量产生器传送第一凝固控制能量脉冲至所述基板；

在第二凝固周期之后，从第四能量产生器传送第二凝固控制能量脉冲至所述基板。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一凝固周期的时长小于熔化区的温度下降至低于成核点所需的时间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一凝固控制能量脉冲具有使熔化区的温度升高至高于成核点的能量含量。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一凝固周期与所述第二凝固周期被选择以形成大晶体区域与小晶体区域。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一凝固控制能量脉冲与第二凝固控制能量脉冲中的每个都具有熔化所述小晶体区域的总能量含量。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一凝固期间形成第一再凝固部分，且在传送所述第一凝固控制能量脉冲时，所述第一再凝固部分的温度不高于约200℃。

7.如权利要求6所述的方法，其中在所述第二凝固期间形成第二再凝固部分，且在传送所述第二凝固控制能量脉冲时，所述第二再凝固部分的温度不高于约200℃。

8.一种用于热处理基板的方法，包含以下步骤：

识别所述基板的第一处理区；

通过传送脉冲能量至所述第一处理区，熔化所述基板的所述第一处理区；

重新固化所述第一处理区的第一部分，以形成大晶体区域与小晶体区域；

通过传送能量脉冲至所述第一处理区，重组所述小晶体区域；

重复所述重新固化与所述重组步骤，直到所述第一处理区为具有尺寸为至少约8μm的大晶体的结晶固体为止；

识别与所述第一处理区实质相邻的后续处理区；以及

重复所述熔化、重新固化、重组、重复和识别步骤，直到所述基板的所有预期的处理区都已经被处理为止。

9.如权利要求8所述的方法，其中每个处理区被处理约5微秒或低于5微秒。

10.如权利要求9所述的方法，还包含维持所述基板的周围温度为低于约100℃。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述重组所述小晶体区域包含熔化所述小晶体区域。

12.一种用于使半导体材料结晶化的方法，包含以下步骤：

传送第一多个能量脉冲，以熔化所述半导体材料；以及

传送第二多个能量脉冲，以控制所述半导体材料的凝固，其中所述第二多个能量脉冲使与推进凝固前部相邻的边界层中的冷却速率维持在不高于约500K/微秒。

13.一种用于使半导体材料结晶化的方法，包含以下步骤：

使所述基板的周围温度维持在低于约100℃；

识别半导体基板的处理区；

使用脉冲能量对所述处理区执行逐步熔化工艺；以及

使用脉冲能量对所述处理区执行结晶凝固工艺。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述结晶凝固工艺包含在所述处理区的凝固前部引导能量脉冲，并使所述凝固前部的界面能量维持为高于外延点。

15.一种用于处理半导体基板的处理区的方法，所述处理区具有大晶体与小晶体，所述方法包含以下步骤：

引导第一脉冲能量至所述处理区上，所述第一脉冲能量具有被选择以启动小晶体至大晶体的转变的能量含量；以及

引导第二脉冲能量至所述处理区上，所述第二脉冲能量具有与所述第一脉冲能量不同的能量含量，且被选择以维持所述小晶体至大晶体的转变。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第二脉冲能量维持所述小晶体至大晶体的爆发性重新生长。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述第二脉冲能量包含多个能量脉冲，所述多个能量脉冲被定时以通过从结晶化的潜热所释放的能量来支持所述转变。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述第二脉冲能量传送能量至低于所述小晶体的标准熔化能量的所述处理区。