[发明专利]超导线圈和超导装置无效

专利信息
申请号: 201280041697.6 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103765531A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 中村悠一;荒川聪;新里刚;尾山仁 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00;H01F6/06;H02K55/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 戚传江;谢丽娜
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 超导 线圈 装置
【权利要求书】:

1.一种超导线圈,包括:

线圈主体部分(12a、12b),在其中缠绕超导线(15);以及

磁路构件(13),所述磁路构件由磁体形成并且被布置成面对所述线圈主体部分(12a、12b)的表面,所述表面被定位在其与所述超导线(15)的主表面交叉的末端表面侧处,所述磁路构件(13)被用以形成允许由在所述线圈主体部分(12a、12b)中流动的电流所产生的磁通量绕所述电流行进的磁路。

2.根据权利要求1所述的超导线圈,其中:

所述磁路构件(13)包括面对表面,所述面对表面面对所述线圈主体部分(12a、12b)的所述表面,并且

在所述磁路构件(13)中,所述面对表面具有从所述线圈主体部分的所述表面向外突出的末端部分。

3.根据权利要求2所述的超导线圈,其中:

所述磁路构件(13)包括侧表面,所述侧表面与所述面对表面相连并且在与所述面对表面交叉的方向中延伸,并且

所述侧表面具有倾斜部分,所述倾斜部分被定位在其靠近所述线圈主体部分(12a、12b)的末端部分处并且相对于所述超导线(15)的所述主表面的延伸方向倾斜。

4.根据权利要求2所述的超导线圈,其中:

所述磁路构件(13)包括侧表面,所述侧表面与所述面对表面相连并且在与所述面对表面交叉的方向中延伸,并且

所述侧表面具有平表面部分(17),所述平表面部分(17)被定位在其靠近所述线圈主体部分(12a、12b)的末端部分处并且在所述超导线(15)的所述主表面的延伸方向中延伸。

5.根据权利要求1-4任一项所述的超导线圈,其中所述磁路构件(13)包括多个磁体构件(23a、23b),所述多个磁体构件(23a、23b)利用介入其间的空间彼此分离。

6.根据权利要求1-5任一项所述的超导线圈,其中所述线圈主体部分(12a、12b)包括与所述表面相对地定位的另一表面,

所述超导线圈包括另一磁路构件(14),所述另一磁路构件(14)由磁体形成并且被布置成面对所述线圈主体部分(12a、12b)的所述另一表面。

7.根据权利要求6所述的超导线圈,其中:

所述另一磁路构件(14)包括另一面对表面,所述另一面对表面面对所述线圈主体部分(12a、12b)的所述另一表面,并且

在所述另一磁路构件(14)中,所述另一面对表面具有从所述线圈主体部分(12a、12b)的所述另一表面向外突出的末端部分。

8.根据权利要求7所述的超导线圈,其中:

所述另一磁路构件(14)包括另一侧表面,所述另一侧表面与所述另一面对表面相连并且在与所述另一面对表面交叉的方向中延伸,并且

所述另一侧表面具有倾斜部分,所述倾斜部分被定位在其靠近所述线圈主体部分(12a、12b)的末端部分处并且相对于所述超导线(15)的所述主表面的延伸方向倾斜。

9.根据权利要求7所述的超导线圈,其中:

所述另一磁路构件(14)包括另一侧表面,所述另一侧表面与所述另一面对表面相连并且在与所述另一面对表面交叉的方向中延伸,并且

所述另一侧表面具有平表面部分,所述平表面部分被定位在其靠近所述线圈主体部分(12a、12b)的末端部分处并且在所述超导线(15)的所述主表面的延伸方向中延伸。

10.根据权利要求6-9任一项所述的超导线圈,其中所述另一磁路构件(14)包括多个磁体构件(24a、24b),所述多个磁体构件(24a、24b)利用介入其间的空间彼此分离。

11.根据权利要求6-9任一项所述的超导线圈,其中所述磁路构件(13)和所述另一磁路构件(14)被彼此连接成一个整体。

12.根据权利要求6-11任一项所述的超导线圈,其中所述另一磁路构件(14)是具有被布置在彼此之上的多个板状磁体的层板。

13.根据权利要求6-11任一项所述的超导线圈,其中所述另一磁路构件(14)是磁体材料的烧结体。

14.根据权利要求6-11任一项所述的超导线圈,其中所述另一磁路构件(14)是磁体材料和树脂的复合材料。

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