[发明专利]用于制造用于印刷电路板的Z取向的部件的筛选工艺有效
申请号: | 201280041888.2 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103765553A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 保罗·凯文·霍尔;凯斯·布莱恩·哈丁;扎迦利·查尔斯·内森·克拉策;张清 | 申请(专利权)人: | 利盟国际有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张华卿;郑霞 |
地址: | 美国肯*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 印刷 电路板 取向 部件 筛选 工艺 | ||
1.一种用于制造用于插入到印刷电路板中的安装孔中的Z取向的部件的方法,包括:
把基体材料加入界定所述Z取向的部件的层的形状的模具;
齐平所述模具中的所述基体材料的顶部表面;
处理所述模具中的所述基体材料并且形成所述Z取向的部件的所述层;
把传导性材料施用于所形成的层的至少一个表面;以及
形成所述Z取向的部件,所述Z取向的部件包括包含所形成的层的部件层的堆叠物。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述模具包括在板中形成的空腔以及形成所述空腔的底部表面的塞子,所述塞子具有进入所述空腔中的至少一个延伸部,所述至少一个延伸部相应于所述层的形状中的空穴。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述至少一个延伸部延伸至所述空腔的顶部边缘并且相应于经过所述层的通道。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述塞子包括在其端部中形成的凹陷部,所述凹陷部具有围绕所述凹陷部的外周的成锥形的外缘,所述成锥形的外缘形成所述层的面向所述塞子的表面中的相应的锥形。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述模具包括在板中形成的空腔并且所述空腔的底部部分包括围绕其外周的成锥形的外缘,所述成锥形的外缘形成所述层的底部表面中的相应的锥形。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所加入的基体材料是粉末并且处理所述基体材料包括压缩所述模具中的所述粉末。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所加入的基体材料是基于液体的材料并且处理所述基体材料包括固化所述模具中的所述基于液体的材料。
8.根据权利要求1所述的方法,其中把所述传导性材料施用于所形成的层的所述至少一个表面包括:
把掩模施用于所形成的层的顶部表面,所述掩模把传导性材料的施用限于所形成的层的所选择的部分;以及
把传导性材料经过所述掩模筛选至所形成的层上,
其中所述掩模包括被放置在所形成的层的所述顶部表面上的物理掩模和被施用于所形成的层的所述顶部表面并且在所形成的层的所述顶部表面上显影的光致抗蚀剂层中的一个。
9.根据权利要求1所述的方法,其中把所述传导性材料施用于所形成的层的所述至少一个表面包括使用液体传导性材料旋转涂布所形成的层的顶部表面并且然后从所形成的层的所述顶部表面选择性地蚀刻传导性材料。
10.根据权利要求1所述的方法,其中把所述传导性材料施用于所形成的层的所述至少一个表面包括:
把所形成的层定位在束缚板中,所述束缚板具有侧壁表面,所述侧壁表面从所形成的层中的侧壁通道间隔开,从而在其之间形成缝隙;以及
把传导性材料施用在形成在所述束缚板的所述侧壁表面和所形成的层中的所述侧壁通道之间的所述缝隙中以使用所述传导性材料对所形成的层中的所述侧壁通道进行镀层。
11.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述Z取向的部件包括加热并且压缩部件层的堆叠物以形成聚结零件。
12.一种用于制造用于插入到印刷电路板中的安装孔中的Z取向的部件的方法,包括:
把基体材料加入界定所述Z取向的部件的第一层的形状的第一空腔部分;
齐平所述第一空腔部分中的所述基体材料的顶部表面;
处理所述第一空腔部分中的所述基体材料并且形成所述Z取向的部件的所述第一层;
把传导性材料施用于所形成的第一层的至少一个表面;
把所述基体材料加入被定位在所述第一空腔部分的顶部上的第二空腔部分,所述第二空腔部分界定所述Z取向的部件的第二层的形状;
齐平所述第二空腔部分中的所述基体材料的顶部表面;
处理所述第二空腔部分中的所述基体材料并且形成所述Z取向的部件的被堆叠在所述第一层的顶部上的所述第二层;以及
形成所述Z取向的部件,所述Z取向的部件包括包含所述第一层和所述第二层的部件层的堆叠物。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一空腔部分形成在第一板中并且所述第二空腔部分形成在第二板中,所述第二板被堆叠在所述第一板的顶部上使得所述Z取向的部件的所述第二层被形成为堆叠在所述第一层的顶部上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造