[发明专利]包含具有集成式静电放电保护的装置的固态换能器装置及相关联系统与方法

权利要求书

1.一种形成固态换能器装置的方法，其包括：

从外延衬底形成固态发射体，所述固态发射体具有第一半导体材料、第二半导体材料及所述第一与第二半导体材料之间的作用区；及

从所述外延衬底形成静电放电装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

从所述固态发射体选择性地蚀刻掉所述外延衬底的一部分；及

从所述外延衬底的剩余部分形成所述静电放电装置。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括借助第一衬底承载所述固态发射体，所述第一衬底具有接触所述固态发射体的导电结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成静电放电装置包括：

形成穿过所述静电放电装置及所述固态发射体的至少一部分的通孔；

将第一导电材料沉积于所述通孔中，其中所述第一导电材料接触所述导电结构；及

将第二导电材料沉积于所述固态发射体及所述静电放电装置上。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在将所述第一导电材料沉积于所述通孔中之前将绝缘材料沉积于所述通孔中。

6.根据权利要求4所述的方法，其中沉积所述第一及第二导电材料包含将所述静电放电装置与所述固态发射体并联连接。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成静电放电装置包含形成多个串联连接的静电放电结。

8.一种形成固态换能器装置的方法，其包括：

形成固态发射体，所述固态发射体具有第一半导体材料、第二半导体材料及所述第一与第二半导体材料之间的作用区；及

在所述固态发射体上形成静电放电装置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

形成所述静电放电装置包括形成具有第一电触点及第二电触点的静电放电装置；且

其中所述方法进一步包括将所述第一半导体材料电耦合到所述第一电触点且将所述第二半导体材料电耦合到所述第二电触点。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述静电放电装置包括形成静电结，所述静电结具有第一导电材料、第二导电材料及所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第三半导体材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括将所述第二导电材料电连接到所述第二半导体材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述静电放电装置包括形成多个串联连接的静电结，其中个别静电结包括所述第一导电材料的一部分、所述第二导电材料的一部分及所述第三半导体材料的一部分，且其中所述方法进一步包括将一个静电结的所述第一导电材料与邻近静电结的所述第二导电材料连接。

13.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述静电放电装置进一步包括：

形成穿过所述固态发射体的至少一部分的通孔；及

借助所述通孔中的第三导电材料将所述第一导电材料电连接到所述第一半导体材料。

14.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

在外延衬底上形成所述固态发射体；

移除所述外延衬底的一部分；及

从所述外延衬底的剩余部分形成所述静电放电装置。

15.一种固态换能器系统，其包括：

固态发射体；及

静电放电装置，其由所述固态发射体承载，所述静电放电装置与所述固态发射体具有共享第一触点及共享第二触点，其中所述第一及第二触点为用于所述固态发射体及所述静电放电装置两者的仅在外部可接达的作用电触点。

16.根据权利要求15所述的系统，其进一步包括：

电源，其可操作地连接到所述第一触点；及

控制器，其可操作地连接到所述电源，所述控制器经配置以开始及停止从所述电源到所述第一触点的电流。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述固态发射体与所述静电放电装置一起形成单个裸片。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述静电放电装置包括半导体结。