[发明专利]细间距线栅偏振器

权利要求书

1.一种纳米尺寸的多台阶器件，包括：

a.基体；

b.在所述基体上设置的多个平行的多台阶肋；

c.每个肋在其每侧包括多个相邻的台阶，所述多个相邻的台阶包括：

i.上部台阶，其顶部水平表面的两侧是上部垂直表面；以及

ii.至少一对下部台阶，其在所述上部台阶的对面具有两个水平表面，并且其两侧是下部垂直表面；

d.沿着所述上部台阶和所述至少一对下部台阶的垂直表面的涂层；以及

e.沿着任何台阶的垂直表面的所述涂层与沿着邻近的台阶的垂直表面的所述涂层分隔。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述至少一对下部台阶包括至少两对下部台阶。

3.如权利要求1所述的器件，其中，所述上部和下部台阶位于不同的高程高度，界定出截面台阶式金字塔形状。

4.如权利要求1所述的器件，还包括线，所述线：

a.被附到所述基体；

b.与所述多台阶肋物理分隔；并且

c.与所述多台阶肋基本上平行并且位于相邻的多台阶肋之间。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述涂层是通过原子层沉积而施加的。

6.如权利要求1所述的器件，其中，相邻涂层之间的最大距离小于50nm，并且相邻涂层之间的最小距离小于25nm。

7.如权利要求1所述的器件，其中，每个涂层的宽度小于约30nm。

8.一种用于制造如权利要求1所述的器件的方法，该方法包括：

a.形成多台阶肋，所述肋被附到基体；

b.涂敷所述基体和台阶的表面；以及

c.去除水平表面上的涂层，同时留下垂直表面上的涂层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在基体中形成多台阶肋的方法包括：

a.将抗蚀剂施加到所述基体上；

b.对所述抗蚀剂进行构图以产生抗蚀剂宽度；

c.进行第一各向同性蚀刻，并且在所述抗蚀剂横向外侧垂直地蚀刻到所述基体中且同时在所述抗蚀剂下方水平地蚀刻；

d.进行至少一次另外的各向同性蚀刻，该另外的各向同性蚀刻比之前的各向同性蚀刻的各向同性程度低，并且在所述抗蚀剂横向外侧垂直地蚀刻到所述基体中且同时在所述抗蚀剂下方水平地蚀刻；

e.进行各向异性蚀刻，以在所述抗蚀剂横向外侧蚀刻到所述基体中并去除所述抗蚀剂。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述抗蚀剂宽度小于约100nm。