[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中

-该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4），

-在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地具有反射膜层（5），该反射膜层包含银，

-在所述反射膜层（5）上布置有保护层（6），并且

-所述保护层（6）具有透明导电氧化物。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，

其中反射膜层（5）在与保护层（6）相对的界面上邻接于半导体层序列（2）。

3.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中保护层（6）具有ZnO、ZnO:Ga、ZnO:Al、ITO、IZO或IGZO。

4.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中保护层（6）具有在5nm至500nm之间的厚度。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，

其中保护层（6）具有在10nm和100nm之间的厚度。

6.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中反射膜层（5）和/或保护层（6）的侧边缘（16）至少局部地被电绝缘层（14）覆盖。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，

其中电绝缘层（14）是氧化物层或氮化物层。

8.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中第一电连接层（10）布置在保护层（6）的与反射膜层（5）相对的侧上。

9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，

其中所述第一电连接层（10）由多个子层（7，8，9）构成。

10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，

其中这些子层（7，8，9）从反射膜层（5）出发包括铂层（7）、金层（8）和钛层（9）。

11.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中所述半导体层序列（2）的邻接所述反射膜层（5）的区域是p型半导体区域（2a）。

12.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中所述发光二极管芯片（1）在从反射膜层（5）看与半导体层序列（2）相对的侧上与载体（19）连接。

13.根据上述权利要求之一所述的发光二极管芯片，

其中发光二极管芯片（1）不具有生长衬底。

14.根据上述权利要求之一所述的光发光二极管芯片，

其中

-发光二极管芯片（1）具有第一电连接层（10）和第二电连接层（15），

-第一电连接层（10）和第二电连接层（15）朝向半导体层序列（2）的背侧并且借助电绝缘层（14）相互电绝缘，

-第二电连接层（15）的部分区域从半导体层序列（2）的背侧穿过有源层（3）的至少一个通孔（21a，21b）向前侧方向延伸。