[发明专利]具有疏水背面涂层的薄层光伏组件

权利要求书

1.具有疏水背面涂层的薄层光伏组件，其至少包含：

- 基板(1)，其中在基板(1)的背面(IV)上布置至少一个疏水涂层(5)，

- 在基板(1)的正面(III)上的光伏层结构(2)，和

- 覆盖板(3)，其用至少一个中间层(4)经其背面(II)平面地粘合到基板(1)的正面(III)上。

2.根据权利要求1的薄层光伏组件，其中所述疏水涂层(5)含有至少一种烷基硅烷，优选氟化烷基硅烷。

3.根据权利要求1或2的薄层光伏组件，其中所述疏水涂层(5)具有0.5纳米至50纳米，优选1纳米至5纳米的层厚度。

4.根据权利要求1至3之一的薄层光伏组件，其中在所述疏水涂层(5)与基板(1)之间布置针对碱金属离子的扩散阻隔层(7)。

5.根据权利要求4的薄层光伏组件，其中所述扩散阻隔层(7)至少含有氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氮化铝和/或氧氮化铝并具有优选3纳米至300纳米，特别优选10纳米至200纳米，最特别优选20纳米至100纳米的层厚度。

6.根据权利要求1至5之一的薄层光伏组件，其中所述基板至少含有钠钙玻璃，优选具有1.5毫米至10毫米的厚度，且碱金属元素的比例优选为0.1重量%至20重量%，特别优选10重量%至16重量%。

7.根据权利要求1至6之一的薄层光伏组件，其中所述光伏层结构(2)在正面电极层(12)和背面电极层(10)之间具有至少一个光伏活性吸收剂层(11)，且背面电极层(10)含有至少一种金属，优选钼、氮化钛化合物或氮化钽化合物，且正面电极层(12)含有至少一种n-导电半导体，优选铝掺杂的氧化锌或氧化铟锡，光伏活性吸收剂层(11)至少含有非晶的、微晶的或多晶的硅、碲化镉（CdTe）、砷化镓（GaAs）或铜-铟(镓)-硫/硒（CI(G)S）。

8.制造具有疏水背面涂层的薄层光伏组件的方法，其中至少

(a) 在基板(1)的正面(III)上施加光伏层结构(2)，

(b) 基板(1)的正面(III)在热、真空和/或压力的作用下经由中间层(4)粘合到覆盖板(3)的背面(II)，和

(c) 在基板(1)的背面(IV)上施加疏水涂层(5)。

9.根据权利要求8的方法，其中在工艺步骤(c)中由至少含有0.05重量%至5重量%的在硅原子上具有一个、两个或三个可水解取代基，优选烷氧基或卤素原子的烷基硅烷，优选氟化烷基硅烷和溶剂的溶液施加所述疏水涂层(5)。

10.根据权利要求9的方法，其中所述溶剂至少含有醇和水的混合物，且所述溶剂混合物中的水含量为3体积%至20体积%。

11.根据权利要求9或10的方法，其中所述溶液含有 0.005重量%至20重量%的布朗斯台德酸或布朗斯台德碱作为催化剂。

12.根据权利要求8至11之一的方法，其中在工艺步骤(c)之前，在基板(1)的背面(IV)上施加增粘剂(9)，且增粘剂(9)优选至少含有四羟基硅烷、四烷氧基硅烷和/或四卤代硅烷。

13.根据权利要求8至12之一的方法，其中在工艺步骤(a)之前或在工艺步骤(b)之前或在工艺步骤(c)之前，在基板(1)的背面(IV)上施加扩散阻隔层(7)。

14.具有至少-100 V，优选至少-600 V的与地面的负电位的根据权利要求1至7之一的薄层光伏组件的用途。

15.根据权利要求1至7之一的在背向光入射的薄层光伏组件表面上的疏水涂层的用途。