[发明专利]铁氧体陶瓷组合物、陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及铁氧体陶瓷组合物、陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法，更详细而言涉及能够与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧的铁氧体陶瓷组合物、使用了该铁氧体陶瓷组合物的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件及其制造方法。

背景技术

近年来，陶瓷电子部件在各方面广泛使用，内置有线圈导体的陶瓷多层基板也被广泛使用。

例如，在专利文献1中提出了一种线圈内置基板，具备：一对绝缘基体、设置于该一对绝缘基体间的铁氧体磁性层、形成于该铁氧体磁性层内的平面螺旋线圈、设在该平面螺旋线圈的中心部且具有高于上述铁氧体磁性层的导磁率的高磁性体、以及设在上述平面螺旋线圈与上述高磁性体之间并具有低于上述铁氧体磁性层的导磁率的非磁性体。

在该专利文献1中，记载了可使用Cu、Ag、Au、Pt、Ag-Pd合金以及Ag-Pt合金等作为用于线圈导体的金属材料。

另外，在专利文献2中提出了一种层叠型陶瓷电子部件，具备：陶瓷层叠体和设在上述陶瓷层叠体的内部和/或外部的导体图案，上述陶瓷层叠体具有包含陶瓷基材层和陶瓷辅助层的层叠构造，上述陶瓷基材层中多晶相占几乎整体，上述陶瓷辅助层是与上述陶瓷基材层同时煅烧而得的，配置在上述陶瓷基材层的至少一个主表面上，且多晶相占几乎整体。

在该专利文献2中，使用了Ag形成导体图案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4703459号公报（权利要求1、第〔0036〕段等）

专利文献2：国际公开第2007/145189号（权利要求1、2等）

发明内容

然而，在专利文献1中记载了可使用Cu、Ag、Au、Pt、Ag-Pd合金以及Ag-Pt合金等作为用于线圈导体的金属材料，但作为贵金属材料的Au、Pt、Ag-Pd合金以及Ag-Pt合金的材料成本高价且生产率差。

另外，Ag虽廉价，但容易发生迁移而导致耐湿性的劣化，因此难以使施加不同电位（異電位）的贯通线圈间的间隔变窄，陶瓷多层基板的小型化有限。特别是用于DC/DC转换器的陶瓷多层基板由于在内部的电极间施加直流偏置电压，所以抑制迁移成为重要的课题。

而且，Ni-Zn系铁氧体一般在大气气氛下煅烧，当在线圈导体、贯通电极中使用Cu时，如果在大气气氛下煅烧则Cu可能被氧化。

另一方面，如果为避免Cu氧化而在还原性气氛下进行煅烧，则铁氧体材料中的Fe₂O₃被还原成Fe₃O₄，因此可能导致电阻率ρ降低。

即，在800℃以上的温度下，在将氧分压设定成能维持Fe₂O₃的状态的这种氧化性气氛下进行煅烧处理时，Cu被氧化生成Cu₂O。另一方面，在将氧分压设定成能维持Cu金属的状态的这种还原性气氛下进行煅烧时，Fe₂O₃被还原生成Fe₃O₄。

这样由Cu-Cu₂O的平衡氧分压与Fe₂O₃-Fe₃O₄的平衡氧分压的关系可知，在800℃以上的高温不存在Cu和Fe₂O₃共存的区域。

因此，在专利文献1中，即便在还原性气氛下将Cu与铁氧体材料同时煅烧，但也因不存在这些Cu和Fe₂O₃共存的区域，如果在Cu不氧化的这种还原性气氛下进行煅烧，则由于Fe₂O₃被还原成Fe₃O₄，所以电阻率ρ降低，因此阻抗特性等电特性可能劣化。

本发明是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧也能够确保绝缘性且得到良好的电特性的铁氧体陶瓷组合物、使用该铁氧体陶瓷组合物的具有高可靠性且能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法。