[发明专利]蚀刻液组合物以及蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，在进行被处理基板上形成的含硅膜的蚀刻时使用，

包含选自含羟基有机化合物、含羰基有机化合物、无机酸以及无机酸盐中的至少一种、氢氟酸、氟化铵和有机酸。

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，包含表面活性剂。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其中，所述有机酸包含选自一元羧酸、聚羧酸、氧基羧酸、膦酸、磺酸中的至少一种。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述有机酸包含选自乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、乙醇酸、乳酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、氨基三（亚甲基膦酸）、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、甲烷磺酸、乙烷磺酸中的至少一种。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羟基有机化合物包含选自醇类、二醇类、三醇类、羟甲基类中的至少一种。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羟基有机化合物包含选自糠醇、丙二醇、聚乙二醇、1,4-丁二醇、3-甲基-1,3-丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、1,3-环己二醇、1,4-环己二醇、1,2,4-丁三醇、3-甲基戊烷-1,3,5-三醇、1,4-环己二甲醇中的至少一种。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羰基有机化合物包含选自酮类、醛类、酯类中的至少一种。

8.如权利要求1～7中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羰基有机化合物包含选自环戊酮和环己酮中的至少一种。

9.如权利要求1～8中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述无机酸包含选自硝酸、硫酸、氨基磺酸中的至少一种。

10.如权利要求1～9中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述无机酸盐包含选自硝酸铵、硫酸铵以及氨基磺酸铵中的至少一种。

11.如权利要求2～10中的任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述表面活性剂包含选自两性表面活性剂、阴离子性表面活性剂以及非离子性表面活性剂中的至少一种。

12.一种蚀刻方法，其特征在于，在进行被处理基板上形成的含硅膜的蚀刻时使用，

使用包含选自含羟基有机化合物、含羰基有机化合物、无机酸以及无机酸盐中的至少一种、氢氟酸、氟化铵和有机酸的蚀刻组合物而进行蚀刻。