[发明专利]气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用了其的电子元件用基板

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜，其具有片状基材和在所述片状基材的至少单面形成了的气体阻隔层，所述片状基材为：含有纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分被碳数1～8的酰基取代了的表面改性纤维素纳米纤维、基体树脂的含量相对于所述纤维素纳米纤维和所述基体树脂的总量为10质量％以下。

2.如权利要求1所述的气体阻隔性膜，其中，所述酰基包含丙酰基。

3.如权利要求1或2所述的气体阻隔性膜，其中，所述气体阻隔层含有硅氧化物、氮化硅氧化物、及硅氧化氮化物的至少一种。

4.一种气体阻隔性膜的制造方法，其具有以下工序：

将纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分用碳数1～8的酰基进行取代而得到表面改性纤维素纳米纤维、将所述表面改性纤维素纳米纤维用熔融挤出法或溶液浇铸法进行制膜而得到片状基材的工序A；和

在所述片状基材上形成气体阻隔层的工序B。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中，在所述工序A中，在制膜后进行拉伸处理或／及加热压延处理。

6.如权利要求4或5所述的制造方法，其中，所述工序B包含：在所述片状基材上涂布含有聚硅氮烷化合物的涂布液后、进行准分子照射处理。

7.一种电子元件用基板，其使用了权利要求1～3的任一项所述的气体阻隔性膜或通过权利要求4～6的任一项所述的制造方法而制造的气体阻隔性膜。