[发明专利]成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途

说明书

技术领域

本发明涉及一种成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途。特别是涉及一种以具有特定结构的烃基取代硅化合物作为原料，通过化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)成膜而得到的、由含碳氧化硅膜构成的密封膜。

背景技术

在以液晶显示器及有机EL显示器为代表的平板显示器(以下为FPD)中，使用玻璃基板作为其显示板的基体材料，但从薄膜化、轻质化、提高耐冲击性、柔性化、及从适应于卷对卷工艺的观点考虑，透明塑料基板的代替要求提高。另外，尝试使用有机半导体在塑料基板上形成有机晶体管、或形成LSI、Si薄膜太阳能电池、有机色素敏化太阳能电池、有机半导体太阳能电池等。

在通常市售的塑料基板上形成上述元件的情况下，液晶元件、有机EL元件、TFT元件、半导体元件、太阳能电池等所形成的元件、及器件怕水和/或氧，因此，显示器的显示产生黑点或亮点，或者半导体元件、太阳能电池等不起作用，无法实用。因此，需要对塑料基板赋予相对于水蒸汽和/或氧气的气体阻隔性能的气体阻隔塑料基板。另一方面，赋予了气体阻隔性能的透明塑料膜作为食品、药品、电子材料、电子零件等的包装材料用途，今后有取代不透明的铝箔层压膜使用日益扩大的趋势。

作为对透明塑料基板及透明塑料膜赋予透明气体阻隔性能的方法，有物理成膜法和CVD法。在专利文献1中公开了一种隔离袋用膜，其以六甲基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷和/或1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、氧气和氦气、氩气等不活泼气体的混合气体作为原料，通过等离子体激发化学气相沉积法(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)形成了气体阻隔层，但其气体阻隔性能为H₂O=0.2～0.6g/m²·天、O₂=0.4～0.5cc/m²·天，较低。

另外，本发明人等在专利文献2及专利文献3中公开了一种使用具有仲或叔烃基与硅原子直接键合的结构的硅烷及硅氧烷化合物通过PECVD形成低介电常数绝缘膜的方法。然而，这些方法为形成低密度薄膜的方法，所形成的薄膜并不是适用于密封材料、特别是气体阻隔材料的高密度薄膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4139446号公报

专利文献2:日本特开2004-6607号公报

专利文献3：日本特开2005-51192号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种以具有特定结构的烃基取代硅化合物作为原料且通过CVD得到的含碳氧化硅膜构成的密封膜、及含有该膜而成的气体阻隔部件、FPD器件及半导体器件。

用于解决问题的方法

本发明人等发现具有特定结构的烃基取代基且具有特定的硅、氧比的硅化合物适合作为CVD用成膜材料，进而将以具有该特定结构及组成比的硅化合物作为原料且通过CVD得到的膜用作密封膜，以至完成了本发明。

即，本发明为一种含有有机硅化合物的CVD用成膜材料，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比。另外，本发明为一种使用这样的成膜材料通过CVD成膜的密封膜。另外，本发明为一种密封膜，其特征在于，对上述的密封膜进一步进行热处理、紫外线照射处理或电子束处理而得到。进而，本发明为一种气体阻隔部件，其特征在于，将这些密封膜用作气体阻隔层。另外，本发明为一种含有这些密封膜而成的平板显示器器件或半导体器件。

即，本发明的主旨在于下述(1)～(15)。

(1)一种化学气相沉积法用的成膜材料，其特征在于，含有下述有机硅化合物，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比。

(2)如上述(1)所述的成膜材料，其特征在于，优选具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基、且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比的有机硅化合物为下述通式(1)所示的二硅氧烷化合物。

(式中，R¹及R²分别表示碳原子数1～20的烃基。R¹及R²也可以互相键合而形成环状结构。R³及R⁴分别表示碳原子数1～20的烃基或氢原子。)