[发明专利]聚合物和含有该聚合物的组合物以及粘合剂用组合物有效

专利信息
申请号: 201280043274.8 申请日: 2012-09-06
公开(公告)号: CN103781821A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 田村护;大桥拓矢;岸冈高广;榎本智之 申请(专利权)人: 日产化学工业株式会社
主分类号: C08G73/06 分类号: C08G73/06;C08G59/26;C08G59/32;C09J179/04;C09J163/00;H01L21/02;H01L23/29
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 含有 组合 以及 粘合剂
【说明书】:

技术领域

本发明涉及新的聚合物。进而涉及含有上述聚合物的、在粘合剂用、绝缘膜形成用、抗蚀剂下层膜形成用等的用途中使用的组合物。

另外本发明涉及粘合剂用组合物,其在制造LED、CMOS图像传感器等的光学设备、以IC芯片等为代表的半导体设备的工序中,将被叠层物之间粘合。

背景技术

近年来,伴随便携式电话机、IC卡等电子机器的高功能化和小型化,人们要求半导体设备的高集成化。作为其方法,研究了半导体元件本身的微细化、将半导体元件间沿纵向堆积的堆叠结构。在堆叠结构的制作中,将粘合剂用于半导体元件之间的接合。但是,作为公知的粘合剂的丙烯酸系树脂、环氧树脂和硅树脂存在下述问题:耐热性仅在250℃左右,在金属凸块的电极接合、离子扩散工序等要求250℃以上的高温这样的工序中不能使用。

专利文献1中公开了在光半导体用粘合剂中使用的含有异氰脲酸环的聚合物、和含有其的组合物。记载了该含有异氰脲酸环的聚合物可以通过在碱金属化合物的存在下使N-单取代异氰脲酸与二卤化物反应、或使N,N’,N”-三取代异氰脲酸与硅烷化合物进行氢化硅烷化反应来得到。进而,记载了上述组合物可以作为光半导体用粘合剂、在50℃~250℃的烘箱中加热30分钟~4小时而使其粘合。

另一方面,以液晶显示器(LCD)、有机EL(OLED)显示器为代表的薄型显示器(FPD)的市场在急速扩大。液晶显示器使用玻璃基板作为显示面板的基材,进而以薄型化、轻量化、挠性化、利用了辊对辊(Roll-to-Roll)工艺的加工成本的降低为目标,进行使用了塑料基板的挠性显示器的开发。但是,对于作为在公知塑料基板中使用的树脂材料已知的PET树脂、PEN树脂、PC树脂,其耐热性仅为250℃左右,存在不能在下述工序中使用的问题,所述工序是要求目前在薄膜晶体管(TFT)形成工艺中被需要的250℃以上的高温的工序。

在薄膜晶体管形成的工艺中,具有栅极绝缘膜等的绝缘膜形成工序。专利文献2中公开了可在180℃以下的温度制作栅极绝缘膜的、薄膜晶体管用栅极绝缘膜形成剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-143954号公报

专利文献2:国际公开第2008/146847号小册子

发明内容

发明欲解决的课题

对于由专利文献1中记载的组合物制作的固化物,测定在470nm下的光线透射率,评价为90%以上,进而进行耐热性的评价。但是,其虽然记载了将上述固化物在150℃的烘箱中放置120小时后测定在470nm的透射率,但在250℃以上的温度下的耐热性不清楚。

另外,专利文献1的含有异氰脲酸环的聚合物不排除具有羟基,专利文献2记载的栅极绝缘膜形成剂中所含的低聚物化合物或聚合物化合物在重复单元中引入了羟基。但是,聚合物具有羟基时,表现吸湿性,有时在绝缘性是重要的用途中不能得到所需的绝缘性。进而,专利文献1的含有异氰脲酸环的聚合物由于含有硅,因此进行利用了在硅晶片等的基板上形成的膜的再加工和光刻工艺的加工时,必须在蚀刻气体中混合氟系气体,存在可给基板带来破坏的问题。

用于解决课题的手段

本发明的第一方式是一种聚合物,其是具有下述式(1)所示的结构单元的重均分子量为1000~100000的聚合物,

[化1]

{式中,Q是下述式(2)或式(3)所示的二价基团,

[化2]

(式中,Q1表示碳原子数为1~6的烷基、烯丙基、乙烯基、环氧基或缩水甘油基,Q2和Q3分别独立地表示氢原子、碳原子数为1~6的烷基、烯丙基、乙烯基、环氧基或缩水甘油基,n表示0或1。)

上述Q为上述式(2)所示的二价基团、或为式(3)所示且n表示1的二价基团时,构成该式(2)和式(3)的一部分的羰基与上述式(1)的氮原子键合,

R1表示碳原子数为1~10的亚烷基、碳原子数为2~10的亚烯基或亚炔基、碳原子数为6~14的亚芳基、碳原子数为4~10的环状亚烷基、或下述式(4)或式(5)所示的基团,

[化3]

-Al-R2-A2-    (4)

-R3-A3-R4-    (5)

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