[发明专利]光电子器件

权利要求书

1.一种具有有源层（10）的光电子器件（11），所述有源层（10）具有多个横向彼此间隔开的结构元件（6），其中所述结构元件（6）分别具有量子阱结构（5），所述量子阱结构包括：由In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N构成的至少一个阻挡层（2），其中0≤x1≤1，0≤y1≤1且x1+y1≤1；和由In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N构成的至少一个量子阱层（1），其中0≤x2≤1，0≤y2≤1且x2+y2≤1。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中在所述量子阱结构（5）中包含多个由In_xAl_1-xN构成的中间层（3），其中0≤x≤0.6。

3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中对于所述中间层（3）的铟份额x而言适用的是：0.09≤x≤0.27。

4.根据权利要求2或3所述的光电子器件，其中所述中间层（3）具有小于1.5nm的厚度。

5.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）至少局部地具有圆柱的、长方体的、棱柱的、棱锥的或截棱锥的形状。

6.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）至少局部地具有六边形棱锥的、六边形截棱锥的或六边形棱柱的形状。

7.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）具有20μm或更小的宽度。

8.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）具有位于5nm和5μm之间的宽度，其中包括边界值。

9.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中在所述光电子器件（11）中设置有掩膜层（9），并且其中所述结构元件（6）分别设置在所述掩膜层（9）的开口中。

10.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中至少一个所述阻挡层（2）和/或至少一个所述量子阱层（1）具有In_xAl_1-xN，其中0≤x≤0.35。

11.根据权利要求10所述的光电子器件，其中对于所述阻挡层（2）的和/或所述量子阱层（1）的铟份额x而言适用的是：0.09≤x≤0.27。

12.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）分别具有层堆，所述层堆包含所述量子阱结构（5），其中所述层堆的层彼此相叠地设置，使得这些层在横向方向上不重叠。

13.根据权利要求12所述的光电子器件，其中在横向彼此间隔开的所述结构元件（6）之间设置有电绝缘层（9）。

14.根据权利要求1至11中的任一项所述的光电子器件，其中所述结构元件（6）分别具有层堆，所述层堆包含所述量子阱结构（5），其中所述层堆的层彼此相叠地设置，使得所述层堆的设置在位于其下的层之上的层分别完全地覆盖所述位于其下的层包括其侧壁。

15.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中由透明的导电氧化物构成的层（12）施加到所述有源层（10）上，其中所述由透明的导电氧化物构成的层（12）构成用于多个所述结构元件（6）的共同的电接触部。