[发明专利]用于存储器单元上的选择性字线升压的设备

权利要求书

1.一种多端口静态随机存取存储器SRAM阵列，其包括：

控制逻辑电路，其用以接收瞬态升压；以及

本地字线驱动器，其用以在字线转变之后施加所述瞬态升压，以增加字线电压的选定部分。

2.根据权利要求1所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述控制逻辑电路包括：

用于所述SRAM存储器阵列的每一列的电压产生电路，所述电压产生电路经配置以在字线转变之后断言瞬态升压。

3.根据权利要求1所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述控制逻辑电路包括：

用于所述SRAM存储器阵列的每一列内的每一本地字线驱动器的电压产生电路，所述电压产生电路经配置以在字线转变之后断言瞬态升压。

4.根据权利要求3所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述电压产生电路包括：

多个门电介质耦合电容器；

充电区段，其串联连接所述多个门电介质耦合电容器，其中所述充电区段经配置以接收至少一个升压控制信号，且其中所述充电区段经配置以在为读取和写入操作指定的范围内调整升压电平。

5.根据权利要求1所述的多端口SRAM存储器阵列，其进一步包括升压电路，所述升压电路经配置以在阵列级产生所述瞬态升压，且进一步经配置以将所述瞬态升压分布到所述本地字线驱动器。

6.根据权利要求1所述的多端口SRAM存储器阵列，其中在所述本地字线驱动器处产生所述瞬态升压。

7.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中在循环基础上控制瞬态电压升高产生。

8.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述升压电路为电力多路复用器MUX。

9.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述瞬态升压包括经配置以分布到所述本地字线驱动器的至少两个输出电压。

10.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中当不在存取储库阵列时，停用所述瞬态电压升高产生。

11.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述升压电路进一步包括第一多路复用电路，其经配置以选择储库阵列来启用以用于升压产生。

12.根据权利要求6所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述升压电路进一步包括第二多路复用电路，其经配置以确定是否产生所述瞬态升压。

13.根据权利要求12所述的多端口SRAM存储器阵列，其中所述第二多路复用电路操作地连接到所述第一多路复用电路，且其中所述第一多路复用电路的输入包含储库选择信号以及经反相的字节启用信号。

14.一种用于多端口SRAM存储器阵列上的选择性字线升压的方法，其包括：

接收用以触发升压定时操作的时钟信号；

产生选定瞬态升压；

将触发信号提供到储库阵列以触发储库阵列选择；以及

将所述选定瞬态升压分布到所述选定储库阵列。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

在控制逻辑电路处接收所述瞬态升压；以及

在字线转变之后施加所述瞬态升压，以增加本地字线电压驱动器所供应的字线电压的选定部分。

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在字线转变之后，为所述SRAM存储器阵列的每一列断言瞬态升压。

17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括配置电压产生电路以为所述SRAM存储器阵列的每一列内的每一本地字线驱动器断言所述瞬态升压。

18.根据权利要求17所述的方法，其中配置所述电压产生电路进一步包括：

串联耦合多个门电介质电容器；以及

提供充电区段，其经配置以接收至少一个升压控制信号，且进一步经配置以在为读取和写入操作指定的范围内调整升压电平。

19.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括配置升压电路以在阵列级产生所述瞬态升压，且进一步配置所述升压电路以将所述瞬态升压分布到所述本地字线驱动器。