[发明专利]用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法

权利要求书

1.一种用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法，包括以下步骤：

准备具有衬底和半导体区域的衬底产品，所述衬底包含六方晶系III族氮化物半导体并且包括半极性主面，所述半导体区域被设置在所述半极性主面上并且包括有源层；

对所述衬底产品的第一表面进行划线，以形成沿着所述六方晶系III族氮化物半导体的a轴延伸的多个划线标记；以及

利用解理系统从所述衬底产品形成激光条和衬底产品残余物，

其中，

所述解理系统包括：支撑部件，所述支撑部件支撑所述衬底产品；可伸展的保护片材，当由所述支撑部件支撑所述衬底产品时，所述可伸展的保护片材保护面向所述支撑部件的所述衬底产品的所述第一表面；刀片，当由所述支撑部件支撑所述衬底产品时，从与所述第一表面相反侧的所述衬底产品的第二表面朝向所述支撑部件来对所述衬底产品下压所述刀片；以及可移动部件，所述可移动部件相对于所述支撑部件是可移动的并且用于调整所述保护片材的张力，

所述保护片材在基准轴的方向上延伸，并且在所述保护片材的与所述基准轴相交的两个边缘都被固定到所述支撑部件的情况下将所述保护片材布置在所述衬底产品和所述支撑部件之间，

所述衬底产品被布置在所述保护片材和所述支撑部件之上，以使得所述a轴与所述基准轴交叉，所述衬底产品包括第一区域和第二区域，

所述第一区域和所述第二区域依次布置在与所述a轴交叉的方向上，

所述第一区域和所述第二区域的分界面沿着所述a轴延伸，

所述第一区域包括在所述划线标记中的位于最远端的划线标记，

形成所述激光条和所述衬底产品残余物的步骤包括以下步骤：

利用所述支撑部件保持所述衬底产品，以使得所述第一区域从所述支撑部件的边缘突出，并且所述第二区域被布置在所述支撑部件之上；

在沿着所述衬底的所述半极性主面的法线轴延伸的法线向量的方向上，使所述刀片与在所述第二表面中的包含于所述第一区域的区域相接触；以及

对所述第一区域下压所述刀片，以使得所述第一区域连同于与所述第一区域相接触的所述保护片材的一部分一起被挤压在所述支撑部件和所述可移动部件之间，同时使用所述可移动部件来增加在所述保护片材的所述部分中产生的张力，以在与朝向所述第一区域的所述刀片的行进的方向相反的方向上在所述第一区域中产生力，直至在所述第一区域的端面处的所述半极性主面相对于所述第二区域的所述半极性主面倾斜偏转角THETA，

所述激光条从所述第一表面延伸至所述第二表面，并且具有通过分离形成的第一端面和第二端面，

所述第一端面和所述第二端面构成所述III族氮化物半导体激光器件的激光腔，

表示所述六方晶系III族氮化物半导体的c轴的方向的c轴向量相对于所述衬底的所述半极性主面的法线向量倾斜角度ALPHA，

所述第一区域中的与所述刀片相接触的部分沿着所述a轴延伸，

所述偏转角THETA是被定义在由所述六方晶系III族氮化物半导体的所述c轴和m轴定义的c-m面内的角度，当所述衬底产品在从所述m轴到所述c轴的方向上弯曲时所述偏转角THETA具有正值，当所述衬底产品在从所述c轴到所述m轴的方向上弯曲时所述偏转角THETA具有负值，如果所述角度ALPHA在71度至79度的范围内，则所述偏转角THETA在11度至19度的范围内，并且如果所述角度ALPHA在101度至109度的范围内，则所述偏转角THETA在-19度至-11度的范围内，并且

所述第一端面和所述第二端面与所述c-m面相交。

2.根据权利要求1所述的用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法，其中，

所述划线标记沿着由所述a轴和所述法线轴定义的a-n面在从所述第一表面到所述第二表面的方向上延伸。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法，

其中，

在用于准备所述衬底产品的步骤中，对所述衬底进行加工以使其具有从50μm到100μm范围的厚度，

所述加工是切片和研磨之一，并且

所述第二表面是通过所述加工形成的已加工表面和包括有在该已加工表面上布置的电极的表面之一。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法，其中，

所述划线是利用激光划线器进行的，并且

所述划线标记包括划线沟槽。