[发明专利]Zn-Si-O系氧化物烧结体及其制造方法和透明导电膜

权利要求书

1.一种Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，

在以氧化锌作为主要成分且含有Si的Zn-Si-O系氧化物烧结体中，

Si含量以Si/（Zn＋Si）原子数比计为0.1～10原子%，

Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，并且，

未含有SiO₂相和作为硅酸锌Zn₂SiO₄的尖晶石型复合氧化物相。

2.如权利要求1所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体，其特征在于，添加有选自于由Mg、Al、Ti、Ga、In和Sn所组成的组中的至少一种，且该添加元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中。

3.如权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，将所述添加元素的全部成分设为M时，添加元素的含量以M/（Zn＋Si＋M）原子数比计为0.01～10原子%。

4.一种溅射靶，其特征在于，将权利要求1～3中任一项所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体进行加工而获得。

5.一种蒸镀用料片，其特征在于，由权利要求1～3中任一项所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体构成。

6.一种Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，是Si含量以Si/（Zn＋Si）原子数比计为0.1～10原子%，Si元素固溶于纤锌矿型氧化锌相中，并且不含有SiO₂相和作为硅酸锌Zn₂SiO₄的尖晶石型复合氧化物相的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，将ZnO粉末和SiO₂粉末与纯水、有机粘合剂、分散剂进行混合而获得浆料，并对所获得的浆料进行干燥、造粒；

第二工序，对所得到的造粒粉进行加压成型而获得成型体；以及，

第三工序，对所得到的成型体进行烧成并获得烧结体，

并且，所述获得烧结体的第三工序由在700～900℃的温度范围以5℃/分钟以上的升温速度进行升温的工序，以及在烧成炉内对成型体以900℃～1400℃进行烧成的工序构成。

7.如权利要求6所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，所述第三工序中，在900℃～烧成温度的温度范围以3℃/分钟以下的升温速度进行升温。

8.如权利要求6或7所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，将ZnO粉末和SiO₂粉末、混合ZnO粉末和SiO₂粉末并进行预烧而得到的预烧粉末、以及纯水、有机粘合剂、分散剂进行混合，此时，以使作为原料粉末的ZnO粉末、SiO₂粉末和预烧粉末的总浓度成为50～80wt%的方式进行混合，并进行10小时以上的混合搅拌而获得所述浆料。

9.如权利要求8所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，将ZnO粉末和SiO₂粉末进行混合且在900℃～1400℃的条件下进行预烧而获得所述预烧粉末。

10.如权利要求6或7所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1.0μm以下的ZnO粉末和SiO₂粉末。

11.如权利要求8所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1.0μm以下的ZnO粉末和SiO₂粉末。

12.如权利要求9所述的Zn-Si-O系氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为1.0μm以下的ZnO粉末和SiO₂粉末。

13.一种透明导电膜，其特征在于，通过使用权利要求4所述的溅射靶的溅射法进行了成膜。

14.一种透明导电膜，其特征在于，通过使用权利要求5所述的蒸镀用料片的蒸镀法进行了成膜。

15.如权利要求13所述的透明导电膜，其特征在于，在波长400nm～800nm下膜自身的透过率为80%以上，在波长800nm～1200nm下膜自身的透过率为80%以上，并且电阻率为9.0×10^-4Ω·cm以下。

16.如权利要求14所述的透明导电膜，其特征在于，在波长400nm～800nm下膜自身的透过率为80%以上，在波长800nm～1200nm下膜自身的透过率为80%以上，并且电阻率为9.0×10^-4Ω·cm以下。