[发明专利]图案形成方法、电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、使用其的电子器件的制造方法和电子器件

权利要求书

1.一种图案形成方法，所述方法以下列顺序包括：

步骤(1)：用电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成膜，所述电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物含有树脂(A)、化合物(B)和溶剂(C)，所述树脂(A)具有酸分解性重复单元并且能够通过酸的作用降低所述树脂(A)在含有有机溶剂的显影液中的溶解度，所述化合物(B)能够在用电子束或极紫外线辐射照射时产生酸；

步骤(2)：用电子束或极紫外线辐射将所述膜曝光；和

步骤(4)：在所述膜的曝光之后通过用包含有机溶剂的显影液将所述膜显影而形成阴图型图案，

其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是21质量％至70质量％。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，

其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是31质量％至60质量％。

3.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，

其中所述树脂(A)还含有具有极性基团的重复单元。

4.根据权利要求3所述的图案形成方法，

其中所述极性基团选自由以下各项组成的组：羟基、氰基、内酯基、羧酸基、磺酸基、酰胺基、亚磺酰氨基、铵基、锍基以及通过组合以上基团中的两个以上而获得的基团。

5.根据权利要求1或2所述的图案形成方法，

其中所述树脂(A)还含有具有酸基的重复单元。

6.根据权利要求5所述的图案形成方法，

其中所述酸基是酚羟基、羧酸基、磺酸基、氟化醇基、亚磺酰氨基、磺酰基亚氨基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚甲基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚氨基、双(烷基羰基)亚甲基、双(烷基羰基)亚氨基、双(烷基磺酰基)亚甲基、双(烷基磺酰基)亚氨基、三(烷基羰基)亚甲基或三(烷基磺酰基)亚甲基。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，

其中相对于所述树脂(A)中的全部重复单元，由以下式(I)表示的重复单元的含量是4摩尔％以下：

其中R₄₁、R₄₂和R₄₃中的每一个独立地表示氢原子、烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基，并且R₄₂可以与Ar₄结合以形成环，并且在这种情况下，R₄₂表示单键或亚烷基；

X₄表示单键、-COO-或-CONR₆₄-，并且R₆₄表示氢原子或烷基；

L₄表示单键或亚烷基；

Ar₄表示(n+1)价芳环基，并且当Ar₄与R₄₂一起形成环时，Ar₄表示(n+2)价芳环基；并且

n表示1至4的整数。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法，所述图案形成方法是用于形成半导体精细电路的方法。

9.一种电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物，所述树脂组合物用于根据权利要求1至8中任一项所述的图案形成方法。

10.一种抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜用根据权利要求9所述的电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成。

11.一种电子器件的制造方法，所述方法包括：

根据权利要求1至8中任一项所述的图案形成方法。

12.一种电子器件，所述电子器件通过根据权利要求11所述的电子器件的制造方法制造。