[发明专利]Mo-W靶材及其制造方法

权利要求书

1.一种Mo-W靶材的制造方法，其特征在于，

将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，

然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，

接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。

2.根据权利要求1所述的Mo-W靶材的制造方法，其特征在于，

在将所述钼粉末进行脱氧处理前，将所述钼粉末以所规定的尺寸造粒，

然后，将所述钼粉末的造粒粉脱氧处理。

3.根据权利要求2所述的Mo-W靶材的制造方法，其特征在于，

在将所述造粒粉脱氧处理后，将所述造粒粉破碎。

4.根据权利要求1所述的Mo-W靶材的制造方法，其特征在于，

将所述混合粉末通过HIP（热等静压）法烧结。

5.根据权利要求4所述的Mo-W靶材的制造方法，其特征在于，

所述所规定温度为1200℃以上1500℃以下。

6.一种Mo-W靶材，其由含有钼粉末和钨粉末的混合粉末的烧结体形成，其特征在于，

由钼及钨的组成比例加权平均的上述面方位的各含有比例，相对于所述钼及钨的（110）、（200）、（211）、（220）、（310）、（321）的各面方位的X射线衍射强度的总和，都在25%以下。

7.根据权利要求6所述的Mo-W靶材，其特征在于，

具有100ppm以下的氧浓度、97%以上的相对密度和20μm以下的平均结晶粒径。