[发明专利]研磨垫无效
| 申请号： | 201280044813.X | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103782372A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 野呂阳平;奥田良治;福田诚司 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;李婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 | ||
1. 一种研磨垫，其为至少具有研磨层的化学机械研磨用的研磨垫，其特征在于：
在所述研磨层的研磨面具有第一槽以及第二槽，
所述第一以及第二槽在各自的槽宽方向的缘端部具有与所述研磨面连续的侧面，
在所述第一槽中，至少在槽宽方向的一侧的缘端部处，所述研磨面和与该研磨面连续的侧面所成的角度比105度大且为150度以下，
在所述第二槽中，在槽宽方向的两个缘端部双方，所述研磨面和与该研磨面连续的侧面所成的角度为60度以上且105度以下。
2. 根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于：所述第二槽具有底面。
3. 根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于：每单位单元的槽面积率为5%以上且50%以下，并且每单位槽面积的第一槽的面积占有率为30%以上且90%以下。
4. 根据权利要求1～3中的任一项所述的研磨垫，其特征在于：所述第一以及第二槽形成为格子状。
5. 根据权利要求4所述的研磨垫，其特征在于：在所述研磨面形成的所述第一槽的总槽长为在所述研磨面形成的槽的总槽长的10%以上且90%以下。
6. 根据权利要求4或5所述的研磨垫，其特征在于：所述研磨面成圆形，在所述研磨面形成的所述第一槽在如下区域内形成：该区域为包含通过所述研磨面的中心并相互正交的两条直线的区域，且距所述两条直线中的至少一方的距离为所述研磨面的半径的70%以下。
7. 根据权利要求4～6中的任一项所述的研磨垫，其特征在于：在所述第一槽中，在槽宽方向的两个两缘端部双方，所述研磨面和与该研磨面连续的侧面所成的角度比105度大且为150度以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
