[发明专利]低电阻率接触

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体层；

半导体接触层，处于所述半导体层的表面上，所述半导体接触层具有在0到0.2电子伏范围内并且包括0和0.2电子伏的带隙；以及

金属电极，处于所述半导体接触层的与所述半导体层相对的表面上。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述半导体层是p型半导体层。

3.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层和所述金属电极形成具有小于1x10^-6欧姆·cm²的电阻率的欧姆接触。

4.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层的带隙在0到0.1电子伏范围内并且包括0和0.1电子伏。

5.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层的带隙在0到0.05电子伏范围内并且包括0和0.05电子伏。

6.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1。

7.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1，并且所述半导体接触层的带隙在0到0.1电子伏范围内并且包括0和0.1电子伏。

8.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1，并且所述半导体接触层的带隙在0到0.05电子伏范围内并且包括0和0.05电子伏。

9.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.08到0.46范围内并且包括0.08和0.46。

10.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.18到0.37范围内并且包括0.18和0.37。

11.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xSe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.23到0.32范围内并且包括0.23和0.32。

12.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1。

13.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1，并且所述半导体接触层的带隙在0到0.1电子伏范围内并且包括0和0.1电子伏。

14.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1，并且所述半导体接触层的带隙在0到0.05电子伏范围内并且包括0和0.05电子伏。

15.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.21到0.95范围内并且包括0.21和0.95。

16.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.4到0.76范围内并且包括0.4和0.76。

17.根据权利要求2的半导体结构，其中所述半导体接触层由Pb_xSn_1-xTe形成，其中0≤x≤1，其中Sn的摩尔分数在0.49到0.67范围内并且包括0.49和0.67。