[发明专利]蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法有效
申请号: | 201280044893.9 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103797149B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 杉本重人;梶山康一;水村通伸;工藤修二;木村江梨子;哈尼·马赫·阿齐兹;梶山佳敬 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸镀掩膜 制造 方法 薄膜 图案 形成 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于在基板上以一定的排列间距平行地并排蒸镀形成条纹状的多个薄膜图案的蒸镀掩膜,尤其涉及一种可以形成高度精细的薄膜图案的蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法。
背景技术
一直以来,这种蒸镀掩膜具有与规定的图案对应的形状的开口的蒸镀掩膜,并在对基板进行了位置对齐后,密合到该基板上,其后通过上述开口进行对于基板的图案蒸镀(例如,参照专利文献1)。
又,另一蒸镀掩膜是由设置有与规定的蒸镀图案对应的多个开口的强磁性材料组成的金属掩膜,并将该蒸镀掩膜密合到基板上以覆盖基板的一面,而且利用被配置于基板的另一面的磁铁的磁力来固定该蒸镀掩膜,在真空蒸镀装置的真空槽中通过上述开口使蒸镀材料附着到基板的一面上,形成薄膜图案(例如,参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利公开2003-73804号公报
专利文献2:日本专利公开2009-164020号公报
发明概要
发明所要解决的技术问题
但是,在这种一直以来的蒸镀掩膜中,通常在薄的金属板上通过例如蚀刻等形成与薄膜图案对应的开口来制作上述专利文献1中记载的蒸镀掩膜,因此高精度地形成开口是较为困难的,另外,由于金属板的热膨胀而导致的错位或弯曲等影响,例如300dpi以上的高度精细的薄膜图案的形成是较为困难的。
又,虽然上述专利文献2中记载的蒸镀掩膜与上述专利文献1中记载的蒸镀掩膜相比改善了与基板的密合性,但是与专利文献1中记载的蒸镀掩膜同样地,在薄的金属板上通过例如蚀刻等形成与薄膜图案对应的开口来制作蒸镀掩膜,因此高精度地形成开口是较为困难的,例如300dpi以上的高度精细的薄膜图案的形成是较为困难的。
因此,本发明的目的在于,应对这种问题,提供一种可以形成高度精细的薄膜图案的蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法。
用于解决技术问题的手段
为了达成上述目的,基于第一方面的发明的蒸镀掩膜是用于在基板上蒸镀形成一定形状的薄膜图案的蒸镀掩膜,该蒸镀掩膜构成为具备透射可见光的树脂制的膜,该树脂制的膜对应于预先在所述基板上确定的所述薄膜图案的形成区域,形成了与该薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案。
优选地,在所述膜的所述开口图案的外侧部分设置有金属部件。在这种情况下,所述金属部件是具有对应于所述开口图案且比该开口图案的形状尺寸更大的开口部的、被密接到所述膜的一面上的薄板。又,所述金属部件是在所述膜的一面或者内部被分散地设置的多个薄片。
又,基于第二方面的发明的蒸镀掩膜的的制造方法是对应于预先在基板上确定的薄膜图案的形成区域,在透射可见光的树脂制的膜上形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的贯通的开口图案来制造的蒸镀掩膜的制造方法,并包括以下步骤:第一步骤,其将所述膜密合到要蒸镀形成所述薄膜图案的蒸镀对象的基板上,或者将所述膜密合到设置有以与所述薄膜图案相同的排列间距并排、与该薄膜图案的形状尺寸相同的多个基准图案的基准基板上;第二步骤,其对所述蒸镀对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的所述膜的部分进行加工,形成与所述薄膜图案的形状尺寸相同的开口图案。
优选地,所述第一步骤在将设置了对应于所述薄膜图案而与该薄膜图案相比形状尺寸更大的开口部的金属部件密接到所述膜的一面上,从而形成掩膜用部件后,进行定位以使所述蒸镀对象的基板上或所述基准基板上的、所述薄膜图案的形成区域或与所述基准图案对应的部分位于所述开口部内。
进一步地,将激光照射到所述膜部分来实行所述第二步骤。在这种情况下,所述第二步骤中,照射一定的能量密度的激光,并用一定速度加工所述膜,从而形成了一定深度的穴部后,将降低了能量密度的激光照射到该穴部的底部,并用慢于所述一定速度的速度加工,从而使所述穴部贯通。
又,所述第二步骤中,照射一定的能量密度的激光而在所述膜上形成所述穴部后,通过与所述膜的碳反应而使该碳气化的反应性气体,或者通过对反应性气体实行等离子化而生成的自由基离子来蚀刻所述穴部的底部,使该穴部贯通,形成所述开口图案。
然后,优选地,此处使用的所述激光的波长在400nm以下。
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